KIA12N60H产(chan)品(pin)描述

KIA12n60hN沟道增强型硅栅功(gong)(gong)率(lv)(lv)MOSFET是专为(wei)高(gao)电(dian)(dian)压，高(gao)速功(gong)(gong)率(lv)(lv)开关(guan)(guan)应用，如高(gao)效率(lv)(lv)开关(guan)(guan)电(dian)(dian)源，基于半桥拓(tuo)扑结构的有源功(gong)(gong)率(lv)(lv)因数(shu)校正电(dian)(dian)子镇流器(qi)。

2、特征

RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V

低栅极电荷(he)（典型的52nc）

快速(su)切(qie)换(huan)的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

3、产品参数

漏极(ji)至源极(ji)电压（VDSS）：600

栅源电(dian)压（VGSS）：±30

漏极电(dian)流（连续）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A

耗散功率（PD）：231

工作温度(du)：±150

击(ji)穿电压(ya)温度(du)：0.7

输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升时间：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω

4、KIA12N60H产品规格

	KIA12N50（12A 60V）
产(chan)品编号(hao)	KIA12N60/F/HF/HP
产(chan)品工艺	kia12n60hN沟(gou)道增强型硅栅功率MOSFET是专为(wei)高电(dian)压(ya)，高速(su)功率开关应用，如高效率开关电(dian)源(yuan)(yuan)，基于半桥拓(tuo)扑结构的有源(yuan)(yuan)功率因数校正(zheng)电(dian)子镇流器。
产品特征(zheng)	RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V 低栅极电荷（典型的52nc）快速切(qie)换的能力雪(xue)崩能量改(gai)进的(de)dt／dt能力
适用范围(wei)	高电(dian)压，高速功(gong)率(lv)开(kai)关(guan)应用，如高效率(lv)开(kai)关(guan)电(dian)源，基于半(ban)桥拓扑结构的有源功(gong)率(lv)因数校正(zheng)电(dian)子镇流(liu)器
封装形(xing)式	TO-220、Yo-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂(chang)家	KIA 原厂家(jia)
网址	shkegan.com
PDF总页(ye)数	总7页