8N60 MOS管参数

kia8n60是(shi)一种(zhong)高电压MOSFET和(he)设计有更好的特(te)性(xing)，如快速开关时间，低门(men)电荷，低通态电阻(zu)，并(bing)具有较高的坚固雪(xue)崩(beng)特(te)性(xing)。这(zhei)种(zhong)功(gong)率MOSFET通常用(yong)于(yu)高速开关电源，PWM电机(ji)，控制器，高效率的DC至(zhi)DC转(zhuan)换器和(he)桥(qiao)电路(lu)。

系列名称：MOSFET
沟道：N沟道
耗散(san)功(gong)率（pd）：147

漏源反向电压（Vds）：600

栅源反向(xiang)电压（Vgs）：30

漏极电流（连(lian)续(xu)）（id）：7.5

静(jing)态(tai)漏源电阻R DS(ON)，Yyp：0.98

总功耗（Tc）：25℃

热阻（RthCS）：05

热阻结温(wen)（RthJC）：0.85

通态电阻（Rds），Typ：0.98

上升时间(jian)（tr）：VDD=300V,R G =25Ω,ID =7.5A(note4,5)

最高结(jie)温（Tj），℃：150

	8N60（7.5A，600V）
产品编号(hao)	KIA8N60/F/ HF/HI/P/PF
产品(pin)工艺	8N60该产品具有较低的(de)导通电阻，优(you)越的(de)开关(guan)性能(neng)很高的(de)雪崩、击穿耐(nai)量
特征	1.超低栅极电荷（典型的29nc） 2.快速切换的(de)能力(li) 3.雪崩能量测(ce)试 4.提升(sheng)的dt／dt能力
适用范围	该产品适用于高速(su)开(kai)关电(dian)源，PWM电(dian)机(ji)控制，高效率(lv)的DC至DC转换器和桥(qiao)电路(lu)。
封装(zhuang)形式	TO-220、TO-220F等
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厂(chang)家	KIA原厂家
网址	shkegan.com
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