040N10N,100v120a场效应管(guan)(guan),KCX040N10N参数原厂-KIA MOS管(guan)(guan)
信(xin)息(xi)来源：本(ben)站(zhan) 日期：2025-07-04
KCX040N10N场效应管漏(lou)源击穿电(dian)压100V，漏(lou)极电(dian)流120A ，采(cai)用(yong)先进的MOS技术制造(zao)，极低导通电(dian)阻RDS(开(kai)(kai)启(qi)) 3.6mΩ，卓(zhuo)越的QgxRDS（on）产(chan)品（FOM），减少(shao)开(kai)(kai)关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性(xing)和稳(wen)定性(xing)，在电机控制和驱动、电池管(guan)理(li)、不(bu)间(jian)断电(dian)源（UPS）中广泛应用；封装形式：TO-263、TOLL-8，散(san)热良好。
漏源电压(ya)：100V
漏(lou)极电流：120A
栅源电压：±20V
脉冲(chong)漏电(dian)流(liu)：480A
单脉冲雪崩能(neng)量：256MJ
功率耗(hao)散：227W
阈值(zhi)电压：3V
总(zong)栅(zha)极电荷：90nC
输入电(dian)容：6772PF
输出电容：952PF
反向传输电容(rong)：33PF
开(kai)通延(yan)迟时(shi)间(jian)：28nS
关断(duan)延(yan)迟时(shi)间：48nS
上升时间：32ns
下(xia)降时(shi)间：27ns
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