KNB2706A场效(xiao)应管(guan)(guan)漏(lou)源击穿(chuan)电(dian)压60V，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)电(dian)流150A，极(ji)(ji)(ji)低导通电(dian)阻RDS(开(kai)(kai)启) 2.8m...KNB2706A场效(xiao)应管(guan)(guan)漏(lou)源击穿(chuan)电(dian)压60V，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)电(dian)流150A，极(ji)(ji)(ji)低导通电(dian)阻RDS(开(kai)(kai)启) 2.8mΩ，最大限度地减(jian)少(shao)导电(dian)损耗，提高(gao)(gao)效(xiao)率；快速开(kai)(kai)关切换，高(gao)(gao)效(xiao)低耗；高(gao)(gao)坚固(gu)性、100%经...
MOS管：电压(ya)(ya)(ya)/电流承载(zai)能力(li)弱，但(dan)耗能低(di)(di)，开(kai)关速度快，寿(shou)命长，12V/48V低(di)(di)压(ya)(ya)(ya)辅助...MOS管：电压(ya)(ya)(ya)/电流承载(zai)能力(li)弱，但(dan)耗能低(di)(di)，开(kai)关速度快，寿(shou)命长，12V/48V低(di)(di)压(ya)(ya)(ya)辅助电池的 BMS。 继电器：开(kai)关速度慢，寿(shou)命短，但(dan)电压(ya)(ya)(ya)/电流承载(zai)能力(li)强，适用于400V/80...
正向充电：当(dang)控(kong)制输出为高电平(ping)时，Q1的(de)栅(zha)(zha)源电压(ya)Vgs大于(yu)阈值电压(ya)Vth，Q1导通。此...正向充电：当(dang)控(kong)制输出为高电平(ping)时，Q1的(de)栅(zha)(zha)源电压(ya)Vgs大于(yu)阈值电压(ya)Vth，Q1导通。此时，A点(dian)电位降低，B点(dian)电压(ya)为VIN减去(qu)二(er)极管导通电压(ya)，Q2的(de)栅(zha)(zha)源电压(ya)Vgs小于(yu)阈值电压(ya)V...
pwm专用(yong)mos管(guan)KND3903A漏源(yuan)击(ji)穿(chuan)电(dian)压30V，漏极(ji)(ji)电(dian)流85A，极(ji)(ji)低(di)导通电(dian)阻(zu)RDS(开(kai)启(qi)) 3...pwm专用(yong)mos管(guan)KND3903A漏源(yuan)击(ji)穿(chuan)电(dian)压30V，漏极(ji)(ji)电(dian)流85A，极(ji)(ji)低(di)导通电(dian)阻(zu)RDS(开(kai)启(qi)) 3.6mΩ，最大限度(du)地(di)减少导电(dian)损耗，提高效率；低(di)Crrs、快(kuai)速切换，高效低(di)耗；100%经雪崩...
隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)变(bian)压(ya)(ya)器是(shi)(shi)指输(shu)(shu)入端(duan)和输(shu)(shu)出端(duan)电气(qi)(qi)上(shang)(shang)完全(quan)隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)的(de)变(bian)压(ya)(ya)器，它的(de)隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)是(shi)(shi)隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)电气(qi)(qi)的(de)意...隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)变(bian)压(ya)(ya)器是(shi)(shi)指输(shu)(shu)入端(duan)和输(shu)(shu)出端(duan)电气(qi)(qi)上(shang)(shang)完全(quan)隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)的(de)变(bian)压(ya)(ya)器，它的(de)隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)是(shi)(shi)隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)电气(qi)(qi)的(de)意思。原理是(shi)(shi)利用变(bian)压(ya)(ya)器的(de)电磁(ci)感应原理，通过磁(ci)场耦合将输(shu)(shu)入端(duan)和输(shu)(shu)出端(duan)的(de)电路隔(ge)(ge)离(li)(li)(li)开来...
