032n10n场效应管参数,120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站 日期(qi)：2025-07-03
KCX032N10N场效(xiao)(xiao)应(ying)管漏(lou)源(yuan)击穿电(dian)压(ya)100V，漏(lou)极电(dian)流120A ，采用先进(jin)的(de)MOS技术(shu)制造(zao)，极低(di)导通电(dian)阻(zu)RDS(开(kai)启) 3.5mΩ，卓越的(de)QgxRDS（on）产品（FOM），减少开(kai)关(guan)损耗，提高效(xiao)(xiao)率；符合JEDEC标准，100%DVDS测(ce)试(shi)、100%雪崩测(ce)试(shi)，确(que)保可靠(kao)性和稳定性，在电机控(kong)制和驱(qu)动(dong)、电池(chi)管理、不间断电源(yuan)（UPS）中广(guang)泛应(ying)用；封装(zhuang)形式：TO-263、TOLL-8，散(san)热良好(hao)。
漏源(yuan)电压(ya)：100V
漏极电流：120A
栅(zha)源电压：±20V
脉冲漏电流：480A
单脉(mai)冲雪崩能量：800MJ
功率耗散：215W
阈(yu)值(zhi)电压(ya)：3V
总栅极电荷(he)：130nC
输(shu)入(ru)电(dian)容(rong)：7470PF
输出电容：930PF
反(fan)向传输(shu)电容(rong)：50PF
开通(tong)延(yan)迟时间：50nS
关断延(yan)迟时间(jian)：97nS
上(shang)升时间：74ns
下降(jiang)时间：30ns
联系方(fang)式：邹先(xian)生
座(zuo)机：0755-83888366-8022
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