推挽电压尖峰高原因及解决方法分享-KIA MOS管

推挽电压尖峰高原因

推挽(wan)变(bian)换(huan)器(qi)电压尖峰高(gao)主要(yao)由(you)变(bian)压器(qi)漏(lou)感和功率管关断时的(de)电流突变(bian)引(yin)起。

在推挽电(dian)路中，当(dang)功(gong)率管关断时，变(bian)压器漏感储存的能量无法(fa)快速释放，导致电(dian)流(liu)突变(bian)，在功(gong)率管漏极产生尖峰电(dian)压。若漏感能量较大(da)，可能损坏功(gong)率管(如MOSFET)。

通常推挽拓扑(pu)中功(gong)率管选用都是(shi)MOSFET，而MOSFET失效(xiao)最多原因往往不是(shi)电流而是(shi)电压，这正是(shi)由于推挽变换器(qi)漏感所致(zhi)。

推挽电压尖峰高解决方法

1、在每个(ge)开关管的(de)并(bing)联(lian)位置(zhi)添加(jia)反并(bing)联(lian)二(er)极管。这样做可以在开关管关断时提供一个(ge)回(hui)路，使电感(gan)中的(de)能量得以释放(fang)，从(cong)而降低尖峰电压(ya)的(de)幅(fu)值(zhi)。

2、使用(yong)瞬(shun)态(tai)电压抑制(zhi)器（TVS）。TVS是(shi)一种(zhong)保(bao)护元件，能够抑制(zhi)瞬(shun)态(tai)过(guo)电压。将其连接在推挽电路中，可(ke)以在尖峰电压出现(xian)时提供一个(ge)低阻抗通路，将过(guo)电压引导到地，保(bao)护其他元件不(bu)受损坏。

3、在(zai)推(tui)挽(wan)电路的输出端添加合适的滤波电路，如LC滤波器(qi)(qi)或RC滤波器(qi)(qi)，以(yi)(yi)对尖峰电压进行滤波和衰减。选(xuan)择合适的电感和电容值(zhi)可以(yi)(yi)实现对尖峰电压的有(you)效(xiao)控制(zhi)。

处理尖峰电(dian)(dian)压的(de)方(fang)法(fa)需要根据(ju)具体的(de)推(tui)挽电(dian)(dian)路设计和应用需求(qiu)来选(xuan)择。同时，尖峰电(dian)(dian)压的(de)幅值和频率也非常重要，必(bi)须确保所选(xuan)的(de)处理方(fang)法(fa)能够(gou)有效地降低尖峰电(dian)(dian)压，并保证系统的(de)稳定性和可靠性。

电压尖峰高改善方法

优化电路设计

降低变压器漏感(gan)：通过优化(hua)绕(rao)组(zu)布(bu)局和(he)参数设计减少漏感(gan)。

增加吸收电路：在功率管漏极接入RCD吸收电路或TVS二极管，抑(yi)制尖(jian)峰电压(ya)。

控(kong)制驱(qu)动信号

采用软开关技(ji)术：通过控制占空比和死(si)区时间，使功率(lv)管(guan)在关断前降低电流变化率(lv)，减少尖峰。

同步驱动信号：确(que)保两只功率管切换时无重叠区域(yu)，避免偏磁引(yin)起(qi)的额(e)外尖峰(feng)。

器(qi)件选择

选用(yong)耐压更高的功(gong)率管：根据输(shu)出(chu)电压选择(ze)余量充足的器件。

优化PCB布局：降低分布电(dian)感影(ying)响，确保功(gong)率管(guan)漏(lou)极走线远离高(gao)频信号线。

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