充电器mos管(guan),4406场效应管(guan),12a30vmos管(guan),KNE6303A参数-KIA MOS管(guan)
信息来源：本站(zhan) 日期：2025-05-26
充电(dian)器mos管KNE6303A漏源(yuan)击穿电压30V，漏极(ji)电流(liu)12A，先进的沟槽(cao)加工(gong)技术，超低(di)导(dao)通电阻的高密(mi)度电池(chi)设计，导通电阻(zu)RDS(开启) 8mΩ，高效(xiao)低耗(hao)；改进的dv/dt能力、完全表征的雪崩电压和电流，稳定可靠(kao)；100% EAS保(bao)(bao)证(zheng)、绿色设备，环保(bao)(bao)可靠(kao)；适用于充电(dian)器(qi)、锂电(dian)池保(bao)护(hu)板等多种(zhong)应用；封装(zhuang)形(xing)式：SOP-8，体积小、重量轻(qing)、引脚多、易(yi)于焊接。
漏源电压(ya)：30V
漏极电(dian)流(liu)：12A
栅源电压：±20V
脉冲漏电(dian)流：48A
总功(gong)耗：3.1W
阈值电(dian)压：1.8V
总栅极电荷：10nC
输入电容：1300PF
输出电容：270PF
反向传(chuan)输(shu)电容：145PF
开通(tong)延(yan)迟(chi)时间：12nS
关断延迟时间：32nS
上升时(shi)间：4ns
下降时间：6ns
联系方(fang)式：邹先生(sheng)
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