直流(liu)电机控制pmos,-100v pmos,KPD6610B场效应(ying)管(guan)参数-KIA MOS管(guan)
信息(xi)来源：本(ben)站 日期(qi)：2025-05-23
KPD6610B场效应管漏(lou)源击穿电(dian)压-100V，漏(lou)极电(dian)流-15A，低(di)导(dao)通电(dian)阻RDS(开启) 170mΩ；具有低噪(zao)声，提(ti)高(gao)信号(hao)的(de)保真度、高(gao)阈值电压，抗干扰能力强(qiang)、低功耗，高(gao)效稳(wen)定(ding)；100% EAS保证、绿(lv)色设备，环保可靠(kao)；适用于电源(yuan)管理、直(zhi)流电机控制等多种应用场景；封装(zhuang)形式：TO-252，体积小、散热良(liang)好。
漏源电(dian)压：-100V
漏极电流：-15A
栅源电压：±20V
脉冲漏电(dian)流(liu)：-60A
雪崩能量单脉冲：49MJ
总功耗：61W
阈值电压：-1.2-2.2V
总栅极电(dian)荷：19nC
输入电容：1228PF
输出电容：41PF
反向传输电容：29PF
开通延迟时间(jian)：9nS
关断延迟时间(jian)：39nS
上升时间：6ns
下降时(shi)间：33ns
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
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