pwm控制场效应管(guan),30a40v电压(ya),KNY8104A参数引脚图-KIA MOS管(guan)
信息来源：本站 日期(qi)：2025-05-14
KNY8104A场效应管漏源(yuan)击穿(chuan)电(dian)压40V，漏极电(dian)流30A，极低(di)导通(tong)电(dian)阻RDS(开(kai)启) 12mΩ，最大限(xian)度(du)地减(jian)少导电(dian)损耗(hao)；低(di)电(dian)流、低(di)功耗(hao)、开(kai)关速度(du)快(kuai)，高效低(di)耗(hao)；100%经(jing)雪崩测试、提高dv/dt能力，稳(wen)定可靠(kao)，环保(bao)无铅；广泛(fan)应用于PWM应用、电(dian)源(yuan)管理、负(fu)载开(kai)关等；封装形(xing)式(shi)：DFN5*6。
漏源电压：40V
漏极(ji)电流(liu)：-30A
栅源(yuan)电(dian)压：±20V
脉冲漏电流：120A
单脉冲雪(xue)崩能(neng)量：25MJ
功率(lv)耗散：96W
阈(yu)值电(dian)压：1.5V
总(zong)栅(zha)极电荷：18nC
输(shu)入电容：850PF
输出电容：70PF
反向传输电容(rong)：62PF
开通延迟时间：4nS
关(guan)断延迟时(shi)间(jian)：30nS
上升时间：8ns
下(xia)降时间：10ns
联系(xi)方式：邹先生
座机(ji)：0755-83888366-8022
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