3203场效应管,30v pmos,dfn56,KPY3203D参数引脚图-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站 日(ri)期：2025-05-12
KPY3203D场效(xiao)应(ying)管漏源击穿电(dian)压-30V，漏极(ji)电(dian)流(liu)-100A，采(cai)用先(xian)进的高细胞(bao)密度(du)沟(gou)槽技术(shu)，极(ji)低(di)(di)(di)的导通电(dian)阻RDS(on)=3.5mΩ，超低(di)(di)(di)栅极(ji)电(dian)荷，最(zui)大限(xian)度(du)地(di)减少导电(dian)损耗(hao)，最(zui)小化开关损耗(hao)；100%EAS保证、CdV/dt效(xiao)应(ying)显著(zhu)下降、绿色设备可用，符合环保要求；具(ju)有(you)高输入电(dian)阻、低(di)(di)(di)噪声、低(di)(di)(di)功耗(hao)和快速响应(ying)?特性(xing)，专用于电(dian)机控制和驱动(dong)(dong)、电(dian)动(dong)(dong)工具(ju)中(zhong)；封装(zhuang)形(xing)式：DFN5x6。
漏源电压：-30V
漏极电流：-100A
栅源电压(ya)：±20V
脉(mai)冲(chong)漏(lou)电流：-400A
单脉冲雪崩(beng)能量：312MJ
功率耗散：62.5W
阈值电(dian)压：-1.7V
总栅极电荷：130nC
输(shu)入电容：7500PF
输出电容：1000PF
反(fan)向传输电容：900PF
开通延迟时间：22nS
关断延迟(chi)时间(jian)：110nS
上升时间：30ns
下降时间：40ns
联系方(fang)式(shi)：邹先生
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