9150mos管(guan)(guan),40a500v场效应管(guan)(guan),KNH9150B参数引脚图-KIA MOS管(guan)(guan)
信息来(lai)源：本站(zhan) 日期：2025-04-29
KNH9150B场(chang)效应(ying)管(guan)漏极电流40A，漏源击穿电(dian)压为500V，采用高级平面条纹DMOS技(ji)术，低(di)导(dao)通电阻RDS(开(kai)启(qi)) 87mΩ，最(zui)大(da)限度(du)地减少(shao)开(kai)关损耗，低(di)栅极电荷（典型值为(wei)(wei)117nC)、低(di)跨导(dao)（典型值为(wei)(wei)8.6pF)，高效低(di)耗；快速开(kai)关、100%雪崩测试(shi)、改进的dv/dt能力，稳定可靠；封装形式：TO-3P，散热良好。
漏源电压：500V
漏极电流(liu)：40A
栅源电(dian)压：±30V
脉(mai)冲漏(lou)电流(liu)：160A
雪崩能(neng)量单(dan)脉冲：740MJ
最大功耗：543W
阈值(zhi)电(dian)压：2-4V
总栅(zha)极电荷：119nC
输入电容：6965PF
输出电容：9PF
反向传输电(dian)容(rong)：680PF
开通延(yan)迟时间：50nS
关断延迟时间：215nS
上升(sheng)时间(jian)：68ns
下(xia)降时间(jian)：30ns
联系方式：邹先(xian)生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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