动力保护板基本知识-常(chang)用IC MOS场效应管(guan)-KIA 原厂MOS管(guan)
信息来源:本站 日期:2017-11-24
近年(nian)来,随着一(yi)些(xie)电(dian)动工具、电(dian)动汽车(che)、电(dian)动自行(xing)车(che)等发展(zhan)的(de)需要,其(qi)动力核心——电(dian)池正受到更多的(de)关(guan)注。而锂离子(zi)电(dian)池其(qi)高比能量、长循环寿命、自放(fang)电(dian)小、无记忆(yi)效应和绿色环保等优(you)点(dian)备受青睐,是动力电(dian)池研究(jiu)的(de)热点(dian)之一(yi)。
mos管(guan)也(ye)称场效(xiao)应(ying)管(guan)也(ye)另(ling)称MOSFET,它在保护板(ban)PCB上都是成(cheng)对(dui)使用,而且MOSFET两(liang)(liang)只(zhi)独立封(feng)装(zhuang)在一起,有(you)两(liang)(liang)种封(feng)装(zhuang)型号(hao)。
一种是SOP-8
二种是TSSOP-8较薄
SOT-8封(feng)装
N沟(gou)道(dao)MOS管(guan)
电(dian)流6A
电(dian)压20V
内阻0.03
N沟道MOS管(guan)
电流7A
电压30V
内(nei)阻0.0145
N沟道MOS管
电(dian)流7.5
电(dian)压100V
内阻0.018
N沟道MOS管(guan)
电流8A
电(dian)压60V
内阻0.01
N沟道(dao)MOS管
电流9A
电(dian)压60V
内阻(zu)0.02
N沟道MOS管
电流18A
电压60V
内阻0.0075
N沟道MOS管
电流(liu)22A
电(dian)压60V
内(nei)阻0.0055
P沟道(SOT-8)
P沟(gou)道MOS管(guan)
电流-5.3A
电压(ya)-30V
内阻(zu)0.063
P沟(gou)道MOS管
电(dian)流-5.3
电压-30V
内阻(zu)0.06
P沟道MOS管
电流-7.5
电压-30
内(nei)阻0.018
P沟(gou)道MOS管
电流-10.5
电(dian)压-30
内阻0.018
TSSOP-8
N沟道(dao)MOS管
电流5A
电压20V
内阻0.025
电流6.5A
电压20V
内阻(zu)0.024
N沟道MOS管
电流7A
电压20V
内阻0.024
N沟道MOS管
电流7A
电压20V
内阻0.024
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