4n65场效应管参(can)数(shu),4n65f参(can)数(shu)及代换,KIA4N65H资(zi)料-KIA MOS管
信息来源(yuan)：本站 日期：2024-08-28
KIA4N65H场效应管漏极电流(liu)4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V，最(zui)大限度减少导通电阻；低栅极电荷，典(dian)型值为16nC，高坚固(gu)性、100%雪崩(beng)测试、改进的dv/dt能力、在雪崩和换向模式下(xia)承受高能脉冲，能够确保稳(wen)定性和可(ke)靠(kao)性，带(dai)来高效(xiao)率和快速响应，减(jian)少电路中的(de)噪音和干扰。KIA4N65H可以(yi)替代4n65型号应(ying)用在高效开关(guan)电(dian)源(yuan)、开关(guan)电(dian)源(yuan)、LED驱(qu)动中；封装(zhuang)形式(shi)：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F。
漏源(yuan)电(dian)压(ya)：650V
漏极电流：4A
漏源通态电阻：2.5Ω
栅源电压：±30V
脉(mai)冲漏电流：12A
雪崩能量单脉冲：180MJ
功率耗散：58W
总栅极电荷：16nC
输(shu)入(ru)电容：560PF
输出电容：55PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间(jian)：40nS
上升时间：40ns
下降时间：50ns
联系方式：邹先生
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