KIA24N50H替代24n50场效应管参数,500V 24A,中文资(zi)料-KIA MOS管
信(xin)息(xi)来源：本站(zhan) 日(ri)期：2024-08-21
KIA24N50H场效(xiao)应管采用(yong)先进(jin)的(de)平面条纹DMOS技术生产(chan)，可最大限度地(di)降低导通电阻，提供(gong)卓越的(de)开关性(xing)能(neng)，并(bing)在(zai)(zai)雪崩和(he)换向模(mo)式下承受高能(neng)脉冲。KIA24N50H可以(yi)替(ti)代24n50型号(hao)应用(yong)在(zai)(zai)开关电源(yuan)、LED驱动、逆变器(qi)、电动车控制(zhi)器(qi)中。
KIA24N50H场效(xiao)应管漏(lou)源电压500V，漏(lou)极(ji)(ji)电流24A，低(di)导通电阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低(di)栅极(ji)(ji)电荷（典(dian)型(xing)90nC），使开关损耗最小化，提(ti)高效(xiao)率(lv)；具(ju)有高坚固性、快速切换、100%雪崩测(ce)试、改(gai)进(jin)的dv/dt能力，稳定可靠；封装(zhuang)形式： TO-3P。
漏源电(dian)压：500V
漏(lou)极电流(liu)：24A
漏源(yuan)通(tong)态(tai)电阻：0.16Ω
栅源电(dian)压：±30V
脉(mai)冲漏电流：96A
雪崩(beng)能量单脉(mai)冲：1150MJ
功率耗散(san)：290W
总(zong)栅极电荷：90nC
输入(ru)电容：3500PF
输出电容：520PF
开(kai)通延迟(chi)时(shi)间：100nS
关断延迟时(shi)间：200nS
上升时间：250ns
下降时间：150ns
联系方式：邹先生
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