MOS晶体管的(de)阈值电(dian)压输出特点的(de)解(jie)析-场效论(lun)坛
信息来源(yuan)：本站 日期：2017-09-14
逻(luo)辑阈值电压
由于逻辑阈值电压是式(10.1)中的-IDS与式(10.2)中的IDS相等时的电压，所以应用这个关系能够求得Vin：
假如KN=Kp，即KN/KP=1，经过选择恰当的p沟MOS晶体管与n沟MOS晶体管的参数，可以完成｜VTP｜＝｜VTN｜，那么作为反相器，当然就能够得到如下理想的关系：
实践(jian)上，这(zhei)样的(de)(de)理想状态是(shi)不存(cun)在的(de)(de)。在版(ban)图设计(ji)中，经过设计(ji)恰当的(de)(de)p沟MOS晶体管(guan)与n沟MOS晶体管(guan)的(de)(de)W/L比，尽可能(neng)使VTP与VTN相等，能(neng)够得到接(jie)近1/2VDD的(de)(de)逻辑阈值电压(ya)。
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