MOS晶(jing)体管的(de)(de)阈(yu)值(zhi)电压输(shu)出特(te)点的(de)(de)解析-场效论坛
信(xin)息来源(yuan)：本站(zhan) 日期：2017-09-14
逻辑阈(yu)值电压
由于逻辑阈值电压是式(10.1)中的-IDS与式(10.2)中的IDS相等时的电压，所以应用这个关系能够求得Vin：
假如KN=Kp，即KN/KP=1，经过选择恰当的p沟MOS晶体管与n沟MOS晶体管的参数，可以完成｜VTP｜＝｜VTN｜，那么作为反相器，当然就能够得到如下理想的关系：
实践(jian)上(shang)，这样的(de)(de)理想(xiang)状态(tai)是不存在(zai)的(de)(de)。在(zai)版图设计中，经过设计恰当(dang)的(de)(de)p沟MOS晶(jing)体管与n沟MOS晶(jing)体管的(de)(de)W/L比(bi)，尽可能使VTP与VTN相等(deng)，能够得到(dao)接近1/2VDD的(de)(de)逻辑阈值电压(ya)。
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