mos源极接(jie)地(di)电路(lu)中的负(fu)载驱动的工作原理详解
信息(xi)来源:本站(zhan) 日期(qi):2017-09-14
上一节(jie)讨论的2级结构OP放大器的输(shu)出(chu)级是(shi)源极接地电路。现在(zai)讨论这种2级结构OP放大器的输(shu)出(chu)级驱动负(fu)载电阻的情况。
如图9.21(a)所示,当Vout降低,自RL流入输出端的电流(吸收电流)增加时,n沟MOS晶体管M2的栅极电压上升。就是说,VGS2增加,M2的电流驱动才干增强,能够流过大的吸收电流。
另一(yi)方面(mian),Vout上升时,自输(shu)出(chu)(chu)端(duan)流(liu)(liu)(liu)(liu)向负(fu)载电(dian)(dian)(dian)(dian)阻的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(源(yuan)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu))取不(bu)出(chu)(chu)那(nei)么(me)大的(de)值。原(yuan)因是(shi)(shi)p沟MOS晶(jing)体管(guan)Mi的(de)源(yuan)极(ji)-栅极(ji)间(jian)电(dian)(dian)(dian)(dian)压VSG1是(shi)(shi)一(yi)定的(de),M1能够(gou)流(liu)(liu)(liu)(liu)出(chu)(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)没有(you)变化。这种情(qing)况示于图(tu)9.21(b)中。因此,这个输(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)(dian)路流(liu)(liu)(liu)(liu)出(chu)(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)不(bu)能够(gou)超越M1的(de)稳定的(de)源(yuan)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)。在需(xu)求输(shu)出(chu)(chu)大的(de)源(yuan)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)的(de)场(chang)合,要求输(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)(dian)路必需(xu)经常(chang)流(liu)(liu)(liu)(liu)过(guo)与源(yuan)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)相等的(de)静态(tai)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(无功电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu))。这关系到效率的(de)下降。 为了(le)以(yi)小的(de)静态(tai)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)获得(de)无论是(shi)(shi)源(yuan)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)还是(shi)(shi)吸(xi)收电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)都(dou)需(xu)求的(de)大的(de)输(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu),应该思索AB级输(shu)出(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)(dian)路。
图9.22示出AB级输出电路的工作原理。给p沟MOS晶体管M1和n沟MOS晶体管M2各自的栅极加直流偏置电压VBAT。如图9.22(b)所示,假设输出电路的输入电压Vin降落,那么M1的栅极电压也降落。这时M2的电流驱动才干下降,而M1的电流驱动才干相应地进步。其结果,输出源极电流增加了。
另一方面,如图9.22 (c)所示,假设输出电路的输入电压Vin上升,M1的栅极电压也上升。这时M2的电流驱动才干进步,而M1的电流驱动才干相应公开降。其结果,输出吸收电流增加了。
图9.23示出AB级输出电路中输出电流Iout与M1的电流Ipush,M2的电流Ipul,的关系。当Iout=0时,Ipush和Ipull与静态电流Iq相等。
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