利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

从高电压(ya)向低电压(ya)变换的接口

高(gao)电(dian)压(ya)向(xiang)低(di)电(dian)压(ya)变换的(de)接口要点不是“L”／“H”的(de)逻(luo)辑传输上的(de)问(wen)题，而是在低(di)的(de)电(dian)压(ya)下流入接纳IC的(de)输入部分的(de)电(dian)流以及因此引起的(de)器件损伤问(wen)题。

在接纳IC的电源电压比发送lC的电源电压低的场所，如图13.18所示，经过IC②的输入维护电路产牛的稳定电流IIH会导致器件劣化，所以不能够直接中止接口。针对这个问题，如图13. 19所示，采用给信号线插入串联电阻，抑止电流I_IH的方法。

以普通的(de)CMOS器件的(de)输入维护二极(ji)管电流(额(e)定值20mA)为例来计(ji)算串联电阻的(de)值。首先需求(qiu)把(ba)握(wo)发送IC的(de)p沟一侧的(de)输出阻抗。

在图13.19的场所，设VOH=2.5V(VCC：2V+VF:0.5V)时的I_OH作(zuo)为(wei)IIH流过(guo)接纳IC的(de)输入维护(hu)二极管。假(jia)(jia)定(ding)前(qian)级(ji)IC的(de)输出(chu)阻(zu)抗(kang)为(wei)20Ω，那么为(wei)了满足额定(ding)电(dian)流，需(xu)求105Q的(de)电(dian)阻(zu)。由于理论的(de)2电(dian)源间的(de)指令序列（ON，OFF的(de)定(ding)时(shi)）并非完好(hao)分(fen)歧，所以必(bi)需(xu)设定(ding)接纳IC的(de)Vcc=OV时(shi)发送IC流过(guo)IOH的(de)最坏条(tiao)件。因此，为(wei)了安(an)全起见，希望电(dian)阻(zu)值(zhi)在205Q以上。这样(yang)，假(jia)(jia)设能够(gou)把握(wo)输出(chu)阻(zu)抗(kang)，也

容(rong)许以在一定程度(du)上制(zhi)定对策。

伴随着(zhe)电(dian)(dian)子设备(bei)的(de)高功用化(hua).节能／低(di)电(dian)(dian)压(ya)化(hua)，多电(dian)(dian)源是(shi)一种意向，电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压(ya)不(bu)(bu)同的(de)IC间的(de)接口曾经是(shi)不(bu)(bu)可避(bi)免(mian)的(de)。新(xin)的(de)输入维护电(dian)(dian)路在开发中，如图13. 20所示，取掉二极管，断开基于高→低(di)电(dian)(dian)压(ya)间隙的(de)电(dian)(dian)流通道(dao)，有(you)可能成为(wei)流利的(de)接口。

把实现(xian)不同电(dian)(dian)压(ya)电(dian)(dian)平的(de)接口叫(jiao)做电(dian)(dian)压(ya)变(bian)(bian)换功(gong)用（容(rong)忍功(gong)用）。附有容(rong)忍功(gong)用的(de)  IC，能(neng)够中止高→低的(de)电(dian)(dian)压(ya)变(bian)(bian)换，也没(mei)有对漏电(dian)(dian)流(liu)／稳定电(dian)(dian)流(liu)的(de)增加和传输(shu)延迟时间的(de)滞(zhi)后作出牺牲。

过去在维护CMOS器件免受外来浪涌（静电等过电压、过电流）损伤的输入保护电路中，采用简单而高效的一对二极管的方式。为了顺应电压变换接口的需求，往常半导体厂家采用新的维护电路，完成了无二极管的等效结构。

 如图13. 21所(suo)示，用晶体管(guan)的(de)(de)击(ji)穿特性交流二极管(guan)的(de)(de)正向(xiang)特性，去掉从(cong)输入到(dao)VDD线(xian)的(de)(de)电流途径。作为维(wei)护电路，也能(neng)够(gou)吸(xi)收比VDD线(xian)的(de)(de)电压电平更高的(de)(de)正的(de)(de)外(wai)来浪涌。当然，这(zhei)个击(ji)穿电压应(ying)该设计得比IC内部的(de)(de)初(chu)级输入栅耐压低。

联系方(fang)式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手(shou)机：18123972950

QQ：2880195519

联系地(di)址(zhi)：深圳(zhen)市(shi)福田区车公庙天(tian)(tian)安数码城天(tian)(tian)吉大(da)厦(sha)CD座(zuo)5C1

关(guan)注KIA半导体(ti)工程专辑请搜微信号(hao):“KIA半导体(ti)”或点(dian)击本(ben)文下方图片扫一扫进入官方微信“关(guan)注”

长按二维(wei)码识别关注