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源区与基底等电位时

MOS晶体管(guan)的源极(ji)(ji)与基底等电(dian)(dian)(dian)位(wei)，由(you)于(yu)Ubs=0，所以小信号等效电(dian)(dian)(dian)路能(neng)够简化成(cheng)图(tu)2.4那样。由(you)于(yu)漏极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)导(dao)的倒数就是输(shu)出(chu)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)ro，所以能(neng)够表示为ro＝l/gd。输(shu)出(chu)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)ro也好，漏极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)导(dao)gd也好，它们经常呈(cheng)现在小信号解(jie)析(xi)中(zhong)。

图2.2和图2，4所示(shi)的(de)(de)(de)小(xiao)(xiao)信号(hao)等效(xiao)电(dian)(dian)路(lu)不(bu)只(zhi)适用(yong)于NMOS晶体管，也适用(yong)于PMOS晶体管。但是(shi)需求(qiu)留意(yi)的(de)(de)(de)是(shi)，这(zhei)个小(xiao)(xiao)信号(hao)等效(xiao)电(dian)(dian)路(lu)中，当小(xiao)(xiao)信号(hao)电(dian)(dian)压Vgs增(zeng)加(jia)(jia)时(shi)，小(xiao)(xiao)信号(hao)电(dian)(dian)流id增(zeng)加(jia)(jia)的(de)(de)(de)方向(xiang)(xiang)是(shi)从漏极(ji)(ji)指向(xiang)(xiang)源极(ji)(ji)的(de)(de)(de)方向(xiang)(xiang)。所以关(guan)于PMOS的(de)(de)(de)小(xiao)(xiao)信号(hao)等效(xiao)电(dian)(dian)路(lu)，运用(yong)图2.5和图2.6所示(shi)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)路(lu)停止阐明。图2.5和图2.6中，当Vsg（或者Vsb）增(zeng)加(jia)(jia)时(shi)，从源极(ji)(ji)流向(xiang)(xiang)漏极(ji)(ji)的(de)(de)(de)小(xiao)(xiao)信号(hao)电(dian)(dian)流id增(zeng)加(jia)(jia)。

MOS晶体(ti)管中存在寄生(sheng)电(dian)(dian)容(rong)。思(si)索到寄生(sheng)电(dian)(dian)容(rong)的MOS晶体(ti)管的等效电(dian)(dian)路(lu)如图2.7所示(shi)。在讨论(lun)高频(pin)特性时，运用这(zhei)种加上了电(dian)(dian)容(rong)成分(fen)的模(mo)型，这(zhei)也(ye)使人工计(ji)算停止(zhi)解析变(bian)得复(fu)杂。在SPICE之类(lei)的电(dian)(dian)路(lu)模(mo)仿中，运用含有这(zhei)些(xie)寄生(sheng)电(dian)(dian)容(rong)成分(fen)的器件(jian)模(mo)型停止(zhi)计(ji)算。

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