栅极接地放大电路

如表(biao)3.1所(suo)(suo)示，所(suo)(suo)谓栅极(ji)(ji)接地放大电(dian)路，就是在栅极(ji)(ji)固定为一定电(dian)位的状(zhuang)态下(xia)，输入(ru)信号加到(dao)源极(ji)(ji)上，从漏极(ji)(ji)取出(chu)输出(chu)信号的电(dian)路。

当图3.5所示(shi)的栅极(ji)接(jie)地放(fang)大电(dian)路的源(yuan)极(ji)电(dian)位（输(shu)入端）上升(sheng)νin时(shi)，栅极(ji)—源(yuan)极(ji)间电(dian)压VGS变(bian)小(xiao)，漏极(ji)电(dian)流ID减(jian)小(xiao)gnνin由于源(yuan)极(ji)—漏极(ji)间电(dian)压也减(jian)小(xiao)。νin假如也思索(suo)它的奉献，那么输(shu)出电(dian)压的变(bian)动νout可(ke)由下式给出：

mos管

式中(zhong)，Reff＝Rload//roo中(zhong)右边的符号为(wei)正，这(zhei)标明输出(chu)信(xin)号与输入信(xin)号同相变(bian)化。右边的（gm十(shi)l/ro）νin能够以为(wei)表示输入电压νin惹(re)起的流(liu)过MOS晶体管电流(liu)的变(bian)化量。由于(yu)是(shi)流(liu)过有效的负载电阻Reff，所(suo)以式(3.5)示出(chu)的是(shi)输出(chu)电压的变(bian)动。

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漏极接地放大电路

漏极(ji)接地放大电路(lu)是将(jiang)漏极(ji)与电源电位（N沟MOS晶体管的场(chang)所）或者地电位（P沟MOS晶体管的场(chang)所）衔接，输入信(xin)号加(jia)到栅极(ji)，从源极(ji)取(qu)出(chu)信(xin)号的电路(lu)。

图3.6所示的漏极接地放大电路的电压增益A。由下式给出：
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正(zheng)如式(shi)(3.6)所标明的那样，漏极接地放(fang)大电路(lu)的电压增(zeng)益(yi)小于1。假如gmReff》1，那么增(zeng)益(yi)差不(bu)多能(neng)够视(shi)作1。

漏极接地电路具有电平转移电路的功用。当以恒流源替代输出负载电阻及load输出时，如图3.7所示，输出端Y叫，输出的只是将输人电位挪动了一定电压△V shift（＝VT+2I/β）的电位。但是，由于图中MOS器件M1的源极端没有接地，所以它的阈值电压VT必需思索到衬底偏置效应的值予以变卦，这种电平转移电路由于兼备以下功用而得到应用：
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