栅极接地放大电路

如表(biao)3.1所示，所谓栅极接地放大电路(lu)，就是(shi)在栅极固定(ding)为一定(ding)电位的状(zhuang)态下，输(shu)入信号加(jia)到源(yuan)极上，从漏极取出输(shu)出信号的电路(lu)。

当图3.5所示的(de)栅极接地放(fang)大电(dian)路的(de)源极电(dian)位(wei)（输(shu)入端）上升νin时，栅极—源极间电(dian)压VGS变(bian)小，漏极电(dian)流(liu)ID减(jian)小gnνin由于源极—漏极间电(dian)压也减(jian)小。νin假如也思索它的(de)奉献，那么输(shu)出电(dian)压的(de)变(bian)动νout可由下式给出：

mos管

式中，Reff＝Rload//roo中右(you)边的(de)(de)(de)符号为正，这标明输出(chu)信(xin)号与(yu)输入(ru)信(xin)号同相变化。右(you)边的(de)(de)(de)（gm十l/ro）νin能够以为表(biao)示输入(ru)电(dian)压(ya)νin惹(re)起的(de)(de)(de)流过(guo)MOS晶体(ti)管电(dian)流的(de)(de)(de)变化量。由于是(shi)流过(guo)有(you)效的(de)(de)(de)负载电(dian)阻Reff，所以式(3.5)示出(chu)的(de)(de)(de)是(shi)输出(chu)电(dian)压(ya)的(de)(de)(de)变动。

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漏极接地放大电路

漏极接地(di)放大(da)电(dian)(dian)路是将漏极与电(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)位(wei)（N沟(gou)MOS晶体管(guan)的(de)场所）或者地(di)电(dian)(dian)位(wei)（P沟(gou)MOS晶体管(guan)的(de)场所）衔接，输入信号(hao)加到栅极，从源(yuan)极取出信号(hao)的(de)电(dian)(dian)路。

图3.6所示的漏极接地放大电路的电压增益A。由下式给出：
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正(zheng)如(ru)式(3.6)所标明的那(nei)样，漏极接地放(fang)大电路(lu)的电压(ya)增益(yi)小于(yu)1。假如(ru)gmReff》1，那(nei)么(me)增益(yi)差不多能(neng)够视作1。

漏极接地电路具有电平转移电路的功用。当以恒流源替代输出负载电阻及load输出时，如图3.7所示，输出端Y叫，输出的只是将输人电位挪动了一定电压△V shift（＝VT+2I/β）的电位。但是，由于图中MOS器件M1的源极端没有接地，所以它的阈值电压VT必需思索到衬底偏置效应的值予以变卦，这种电平转移电路由于兼备以下功用而得到应用：
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