利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

CMOS的特性

CMOS电路和CMOS器件具有如下特性：

(1)功耗低。

(2)可以在低(di)电压(ya)下丁作/工作电压(ya)范围宽。

(3)噪(zao)声余量大(da)。

(4)容易集成化。

(5)输入阻抗(kang)高(gao)。

(6)基(ji)于输入电(dian)容的暂存记忆。

功耗低

CMOS器件具有(you)宏大市场的最(zui)大理(li)由就是(shi)(shi)功率(lv)耗费低。正如将CMOS反(fan)相(xiang)器电(dian)路(lu)（图10.4）置换为(wei)等效电(dian)路(lu)（图10.5）时所看到(dao)的那样，不管(guan)(guan)输入的信号是(shi)(shi)“L”电(dian)平(ping)还是(shi)(shi)“H”电(dian)平(ping)，p沟(gou)MOS晶体(ti)管(guan)(guan)和n沟(gou)MOS晶体(ti)管(guan)(guan)中总有(you)一个OFF，处(chu)于切断／高阻(zu)抗状态。就是(shi)(shi)说，在(zai)稳(wen)定(ding)(ding)状态下(xia)，没有(you)从电(dian)源(yuan)(VDD)流(liu)向GND(Vss)的电(dian)流(liu)（贯串电(dian)流(liu)）。在(zai)输入静(jing)止，稳(wen)定(ding)(ding)的“H”或者“L”状态下(xia)，耗费功率(lv)（VDDXIDD） 

无(wu)限地接近零。只(zhi)要微小的(de)外表漏(lou)(lou)电流和pn结(jie)漏(lou)(lou)电流。

在输(shu)入信(xin)号“H”→“L”或者“L”一“H”转变的(de)过渡状态，p沟(gou)MOS晶(jing)体管(guan)和(he)n沟(gou)MOS晶(jing)体管(guan)两者都(dou)处于ON的(de)霎时，由于输(shu)出级的(de)耦合电(dian)(dian)容(rong)、浮(fu)游电(dian)(dian)容(rong)、负载电(dian)(dian)容(rong)等电(dian)(dian)容(rong)成分的(de)充放电(dian)(dian)，会有电(dian)(dian)流活(huo)动。所以动态工作时的(de)功耗不是零。

通(tong)常在停(ting)止(zhi)数字信(xin)(xin)号(hao)(hao)处置(zhi)的(de)场(chang)所(suo)，输入(ru)(ru)信(xin)(xin)号(hao)(hao)的(de)上(shang)升时(shi)间、降落时(shi)间十分短（方波），所(suo)以贯串(chuan)电(dian)(dian)流惹起的(de)功(gong)耗(hao)(hao)不是(shi)(shi)什么大(da)问题。但是(shi)(shi)，在应用中(zhong)间电(dian)(dian)平(ping)的(de)输入(ru)(ru)信(xin)(xin)号(hao)(hao)的(de)振(zhen)荡电(dian)(dian)路等(deng)应用电(dian)(dian)路巾，必需留意贯串(chuan)电(dian)(dian)流惹起的(de)功(gong)耗(hao)(hao)。例如(ru)，1MHz的(de)石英(ying)振(zhen)荡电(dian)(dian)路中(zhong)运用CMOS反相器时(shi)，大(da)约有10mW的(de)功(gong)率(lv)(lv)耗(hao)(hao)费(fei)(fei)。   IC的(de)逻辑状(zhuang)态是(shi)(shi)在“H”与“L”之间疾速(su)的(de)变动(dong)着。在停(ting)止(zhi)高速(su)数字信(xin)(xin)号(hao)(hao)处置(zhi)的(de)场(chang)所(suo)，由于要(yao)(yao)对CMOS器件内外的(de)电(dian)(dian)容(rong)成(cheng)分停(ting)止(zhi)充放(fang)电(dian)(dian)，所(suo)以如(ru)图10.9所(suo)示，会产生(sheng)相当的(de)电(dian)(dian)流耗(hao)(hao)费(fei)(fei)／功(gong)率(lv)(lv)耗(hao)(hao)费(fei)(fei)。在停(ting)止(zhi)设计时(shi)，关(guan)于CMOS器件必需计算(suan)出IC本身所(suo)具有的(de)电(dian)(dian)容(rong)成(cheng)分，还要(yao)(yao)思索(suo)到动(dong)态工作时(shi)的(de)功(gong)率(lv)(lv)耗(hao)(hao)费(fei)(fei)。

图10. 10示出产生电流耗费的状况。'