MOS晶体管的源极与基底是(shi)等电(dian)位 n沟MOS晶体管加偏置电(dian)压会发(fa)生什么状况
信(xin)息来源：本站 日期(qi)：2017-08-10
当源(yuan)极-基底间加偏置时，阈值电压(ya)变化
在很多，隋况下，MOS晶体管的源极与基底是等电位的。其结果，使图1.31中基底（衬底或者阱）与沟道间的pn结处于零偏置。当源极—基底间加反向（或者正向）偏置电压VSB时，MOS晶体管的阈值电压就会发作变化。
如今讨论图1. 32示(shi)出的n沟MOS晶体管加(jia)偏置(zhi)电压(VSB>O)时的状况。
反向偏置电压VSB会使(shi)沟(gou)(gou)道(dao)下的(de)(de)耗尽层扩(kuo)展。由于(yu)耗尽层的(de)(de)扩(kuo)展，耗尽层的(de)(de)负电离子数增(zeng)加(jia)，而沟(gou)(gou)道(dao)区的(de)(de)电子数目相应地减少，使(shi)得(de)与多晶(jing)硅栅中的(de)(de)正(zheng)电荷坚持均衡。由于(yu)沟(gou)(gou)道(dao)区电子数目的(de)(de)减少，招致沟(gou)(gou)道(dao)的(de)(de)厚度变薄。
为了(le)使沟道(dao)恢复到原来的厚度，必需加更大的栅极—源极间电压YGS。其结果，这个反向偏置电压Vs。招(zhao)致了(le)阈值(zhi)电压的上升。
这种由于源极—基(ji)底间电(dian)压VSB招(zhao)致(zhi)阈值(zhi)电(dian)压发(fa)作(zuo)变(bian)化的现象(xiang)，称为衬底偏置效应(body effect)或(huo)者背栅效应(back-gate effect)。
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