辉达娱乐「游戏有保障,平台更省心」场效应管（FET）

电路中的场效应管(guan)原理图是(shi)什么，增强(qiang)型MOSFET特性与BJT是(shi)否相同？

信息来源：本站　日期：2017-08-04　

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电路(lu)中的FET

FET（场效应管）的种类繁多，电路原理(li)图的符号画法也有很多种，好(hao)在差别都不大，常(chang)用(yong)的JFET和增强(qiang)型VMOS的画法如图1.33所示。

符号外面是(shi)(shi)否要带一个圆圈(quan)，则是(shi)(shi)习惯问题，通(tong)常手绘图考虑(lv)到便利性，这(zhei)(zhei)个圆圈(quan)都是(shi)(shi)不(bu)画的(de)(de)。在CAD制图逐渐流行的(de)(de)今大，这(zhei)(zhei)个圆圈(quan)出现的(de)(de)儿率也有减少的(de)(de)趋势。需要说明的(de)(de)是(shi)(shi)，FET电路符号中的(de)(de)箭头并(bing)不(bu)表(biao)示电流方向(xiang)，而(er)是(shi)(shi)表(biao)示电场(chang)方向(xiang)。

体二极管是内置的保护二极管，防止漏极—源极被反向电压击穿，这在大功率电路中是非常常见的，这与继电器电路中常常会在继电器的线圈两端画上一个二极管的功能是一样的。多数功率MOSFET均已经内置了体二极管，而小功率的MOSFET体二极管则一般(ban)不会(hui)内置体(ti)二(er)极管，电路图中一般(ban)也不会(hui)有体(ti)二(er)极管出现。

我们已经知道JFET具有双向导电特性，即漏极与源极可以互换，这是有条件的，这个条件就是低电压、小电流，目前常用的小功率JFET的实际应用也恰恰符合这个条件。MOSFET其实也具备这个特性，但是MOSFET多为功率器件，常用于大电流、高电压条件，加之内置了体二极管，小功率MOSFET也大(da)多内置了(le)体二(er)(er)极(ji)管(guan)，这个特性(xing)就不(bu)能(neng)用了(le)。大(da)功(gong)率的(de)JFET，如HEMT的(de)电路符号，大(da)多也是(shi)(shi)有体二(er)(er)极(ji)管(guan)的(de)。不(bu)过(guo)有时候二(er)(er)极(ji)管(guan)是(shi)(shi)外(wai)置的(de)，这时候它(ta)的(de)名称(cheng)也发生了(le)改变(bian)，不(bu)叫“体：极(ji)管(guan)”而是(shi)(shi)称(cheng)为(wei)“续流(liu)二(er)(er)极(ji)管(guan)”，内置的(de)体二(er)(er)极(ji)管(guan)也常常会(hui)被称(cheng)为(wei)“续流(liu)二(er)(er)极(ji)管(guan)”，在功(gong)能(neng)上，它(ta)们的(de)作(zuo)用也是(shi)(shi)一样的(de)。

因(yin)为(wei)漏(lou)极—源极不能(neng)反(fan)向偏置，因(yin)此大(da)电(dian)流双向电(dian)子开(kai)关需要两个功率MOSFET来(lai)完成(cheng)，就(jiu)像图1.3那样。

如果你对(dui)BJT已经比较(jiao)熟悉（情况常常如此），将FETLk作BJT可以让我们(men)很快理解FET的(de)偏置电路，就控制功能来(lai)说(shuo)，也是(shi)合适的(de)，图(tu)1.34以JFET为例，画出了二者的(de)对(dui)应关(guan)系，MOSFET与之相同。

需要注意的(de)(de)是(shi)，图中(zhong)的(de)(de)对应关(guan)系是(shi)近似(si)的(de)(de)，实际上，JFET与(yu)(yu)耗尽型MOS-FET的(de)(de)偏(pian)置(zhi)特性(xing)和(he)BJT是(shi)相反的(de)(de)，即NPN型的(de)(de)BJT，基极与(yu)(yu)发射极之间需要正向(xiang)偏(pian)置(zhi)（基极电压(ya)高于(yu)发射极电压(ya)），N沟道的(de)(de)JFET，栅极与(yu)(yu)源(yuan)极之间需要反向(xiang)偏(pian)置(zhi)（漏极电压(ya)低于(yu)源(yuan)极电压(ya)）。增强(qiang)型M()SFET的(de)(de)偏(pian)置(zhi)特性(xing)与(yu)(yu)BJT则是(shi)相同(tong)的(de)(de)。

至于(yu)端(duan)子的英(ying)文符(fu)号(hao)是大(da)写(xie)还是小(xiao)(xiao)写(xie)，也仅仅是一个使用习惯问(wen)题。对(dui)于(yu)BJT，三个端(duan)子的符(fu)号(hao)，大(da)、小(xiao)(xiao)写(xie)出(chu)现的概(gai)率(lv)大(da)致相(xiang)同；对(dui)于(yu)FET，大(da)写(xie)则是主流(liu)。