PMOS做固态继电器，PMOS防电流倒灌电路-KIA MOS管

固态继电器电路

可(ke)以通(tong)过增加一控制I/O，控制开通(tong)。并且能在主(zhu)动关断时，防止倒(dao)灌。

固态继电器电路（防倒灌

如上(shang)这(zhei)个电路，这(zhei)个电路广泛使(shi)用在 电源管理、充电控制上(shang)。

这个电(dian)路好就好在它(ta)是个双向开关，而且可完(wan)全控制(zhi)开通/关断，完(wan)全可以(yi)替代机械继电(dian)器(qi)来做固(gu)态继电(dian)器(qi)（前提是输入的信号(hao)电(dian)压不能太低，起(qi)码超出PMOS的G极导通电(dian)压范围）。

下面来分析(xi)原理：

CONTROL电(dian)平为高，电(dian)路开(kai)通，双向导通：

如CONTROL电(dian)平为(wei)高，则Q4 NMOS开通，Q2、Q3的G极电(dian)位均被拉低到(dao)0V。

Q2的体二极(ji)管率(lv)先导(dao)通，Q2的S极(ji)电(dian)平为(wei)(wei)VCC-0.7V，因为(wei)(wei)G极(ji)电(dian)平为(wei)(wei)0，所以满足开通条件，Q2完全导(dao)通。

而Q3此时(shi)的S极(ji)与Q2的S极(ji)相连(lian)，电位相同，均为(wei)VCC。并且G极(ji)电平为(wei)0，也满足开通(tong)条(tiao)件，Q3也完全导通(tong)。之后VCC向负(fu)载正常供电。

反过来(lai)，如果(guo)VCC=0，而负载是(shi)电压源，也(ye)同样导通，只不换成(cheng)了Q3的体二极管先导通，然(ran)后再轮到Q2。

CONTROL电平为低，电路完全关(guan)断(duan)：

CONTROL电平为(wei)低，Q2、Q3都会被关(guan)断(duan)，并且(qie)R2持(chi)续上拉，保(bao)持(chi)Vgs=0，两个(ge)PMOS全部处(chu)于完全关(guan)断(duan)状态。

并且因为Q2、Q3的体(ti)二极管是反(fan)向串联的，所(suo)以无论从左还是从右侧，流经(jing)DS的电流只有(you)(you)反(fan)向漏电流，几乎是没有(you)(you)的。

类似的开关电路

上面(mian)的(de)(de)开关电路固然非常好，但需(xu)要(yao)的(de)(de)元件数量的(de)(de)比较多，并且需(xu)要(yao)串联两个PMOS，会对负载(zai)效(xiao)率和成本造成一定的(de)(de)影响。

如果(guo)只由一侧向(xiang)另一侧供电，不(bu)考虑也不(bu)存在电流倒灌的情(qing)景(jing)。（实(shi)际中大多是(shi)是(shi)这种情(qing)景(jing)）来设计一个高侧开(kai)关(guan)的话，可以是(shi)下面这种样式：

上图能控制开通(tong)/关(guan)断，但不能防止电流倒灌。（体二极管会导通(tong)）

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