40V80A场效应管MOS管 KNX3404C 252封装 原厂直(zhi)销-KIA MOS管

40V80A场效应管MOS管 KNX3404C原厂简介

KIA公司简介：广东利盈娱乐(le)半(ban)导体科技(ji)有限公司是一(yi)家(jia)专业从事(shi)中、大、功(gong)率场效应管(MOSFET)、快(kuai)速恢(hui)复二极管、三端(duan)稳压管开发设计，集研发、生(sheng)产和(he)销售(shou)为一(yi)体的国家(jia)高新技(ji)术企业。

KIA半导体是一(yi)家致力于功率半导体电(dian)(dian)子元器件(jian)研(yan)发与销(xiao)售的(de)高(gao)新(xin)技(ji)术型企业，竭(jie)诚服(fu)务全球开(kai)关电(dian)(dian)源(yuan)、绿色照(zhao)明、电(dian)(dian)机驱动(dong)、汽车电(dian)(dian)子、新(xin)能(neng)(neng)源(yuan)充电(dian)(dian)桩(zhuang)、太阳(yang)能(neng)(neng)设备、数码家电(dian)(dian)、安防工程等行业长期合作(zuo)伙伴，主(zhu)动(dong)了解(jie)客户需求，不(bu)断研(yan)发创新(xin)，为(wei)客户提供绿色、节能(neng)(neng)、高(gao)效的(de)功率半导体产(chan)品。

40V80A场效应管MOS管 KNX3404C描述

KNX3404C是一种高密(mi)度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优(you)良(liang)的Rdson和(he)栅电荷(he)。KND3404C满足RoHS和(he)绿(lv)色产品要求, 100%的EAS保(bao)证(zheng)了全部功能(neng)的可靠性。

40V80A场效应管MOS管 KNX3404C特性

RDS(ON),typ.=5.0mΩ@VGS=10V

超低栅电荷

100%EAS保证

绿色设备

Cdv/dt效应下降良好

先(xian)进的高密(mi)度(du)沟槽(cao)技术

40V80A场效应管MOS管 KNX3404C参数

（注;具体参数，请(qing)查看下面(mian)规格书。）

型号：KNX3404C

漏源(yuan)电压：40V

栅(zha)源电(dian)压:±20V

持续漏电(dian)流Tc=25℃：80A

持续漏电流Tc=100℃：58A

脉冲漏(lou)极(ji)电流：150A

单脉冲(chong)雪崩能量：110mJ

雪崩电流:47A

总(zong)功耗:52.1W

漏源击穿

电压:40V

正向跨导:25S

栅极电阻:1.5Ω

输入电容：3330PF

输出电容：270PF

反向(xiang)转移电容：200PF

40V80A场效应管MOS管 KNX3404C封装图

40V80A场效应管MOS管 KNX3404C规格书

在线(xian)查(cha)看及下(xia)载规格书(shu)，请点击(ji)下(xia)图。

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