MOS管(guan)在硬件电路开发中的应用分享-KIA MOS管(guan)
信(xin)息来源(yuan):本(ben)站(zhan) 日(ri)期:2022-06-16
负极开关(N-MOS):设(she)备控制
LED灯控制电(dian)路
马达(da)控制电路
N-MOS广泛应用于设备通断的控制(zhi)(zhi)。例(li)如上图的LED灯控制(zhi)(zhi)和电动马(ma)达的控制(zhi)(zhi)。GPIO口拉高,MOS管就导通,LED灯亮、马(ma)达转动。GPIO拉低,MOS管就关闭,LED灯灭(mie),马(ma)达就停(ting)止转动。
在普通的低(di)电压(ya)数字电路上,这种控制(zhi)方(fang)式对MOS管(guan)(guan)本(ben)身没有什么特(te)定高要(yao)求,随便(bian)抓一个N-MOS也可(ke)以用。NPN的三极(ji)管(guan)(guan)也可(ke)以用。
正极开关(P-MOS):电源控制(zhi)
P-MOS通常用作电源的开(kai)关(guan),控制设备(bei)的电源打开(kai)或者关(guan)闭。
如上图,默认状态下LCD_PWR_EN是被拉低的(de)(de),T2001关(guan)断,P-MOS的(de)(de)控(kong)制端(U2003的(de)(de)pin1,G极(ji))是高电平,VGS=0,此时(shi)P-MOS关(guan)断,电压(ya)没有输出到右边。
如果GPIO被拉(la)(la)高,T2001导通,MOS管G极被拉(la)(la)低,VGS=VBAT,超(chao)过(guo)了(le)打开(kai)电(dian)压,此(ci)时P-MOS被打开(kai),电(dian)压有输出到右侧。
升压开关(N-MOS):
升压芯片内(nei)部其实就是个(ge)N-MOS,跟(gen)N-MOS的开关性质是一样的。
PWM波控制升(sheng)压芯片N-MOS的(de)通(tong)断。PWM为高的(de)时候,MOS打开,电(dian)感(gan)蓄(xu)流(liu),PWM为低的(de)时候,MOS关闭,带你(ni)干向二(er)极管和(he)Vout端(duan)释放电(dian)流(liu)。
信号反向(N-MOS)
N-MOS经常用(yong)于(yu)把控制信号反向。
如上图,GPIO220控(kong)制USBHUB的(de)Reset。Reset脚是(shi)低有(you)效(xiao),而(er)GPIO一般设(she)计(ji)成默认是(shi)低电平(ping),拉(la)高有(you)效(xiao)。因此通过一个(ge)MOS管来把控(kong)制信号(hao)反向(xiang)。
GPIO拉低,MOS不通,RESET脚被上拉到(dao)(dao)3.3V。GPIO拉高,MOS导通,RESET脚被接到(dao)(dao)地上,RESET就生效了(le)。
充电控制(P-MOS)
充(chong)电P-MOS芯片(pian)
充电电路(lu)是智能硬件系(xi)统(tong)中,少(shao)量的MOS管工(gong)作在放大区(qu)的电路(lu)之(zhi)一(yi)。通过控(kong)制(zhi)GDRV脚(P-MOS Gate脚)的电压,控(kong)制(zhi)充电电流的大小。
例如(ru)在(zai)(zai)恒流充电(dian)(dian)(dian)的时(shi)(shi)候,把电(dian)(dian)(dian)流控(kong)制在(zai)(zai)1A,在(zai)(zai)恒压(ya)(ya)充电(dian)(dian)(dian)的时(shi)(shi)候,随着电(dian)(dian)(dian)池电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)上升逐渐(jian)减小充电(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)流。(不过这个应用场景,一般(ban)不需(xu)要硬(ying)件工程师自己去计算,控(kong)制逻辑(ji)都是在(zai)(zai)主芯片中(zhong)设计好(hao)了的)
VGS vs ID
VGS和MOS通(tong)过的(de)电(dian)流的(de)关系图:充电(dian)IC通(tong)过控制(zhi)VGS来控制(zhi)充电(dian)电(dian)流。
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