判断测量mos管最有效的方法是什么-这里有几(ji)种经验
信息(xi)来(lai)源(yuan):本站 日(ri)期:2017-08-02
用万用表判别KIA器件VMOS的引脚和好坏判别(bie)VMOS的引脚需求以下几步,请(qing)留意(yi),这(zhei)是在(zai)你能肯定VMOS完好的状(zhuang)况下停止的判别(bie),假如(ru)不晓(xiao)得它的好坏,请(qing)先参考(kao)本节内容的第2局(ju)部。
这个办法也大致合适MOSFET,只是关于(yu)小功率MOSFET,需求特别注意(yi)静电的(de)问题,在测试(shi)之(zhi)前,想方法(fa)泄放掉身上的(de)静电才会比拟平安,不至于(yu)将(jiang)晶体管(guan)击穿损坏(huai)。比拟简单(dan)的(de)办(ban)法(fa)是,在水泥空中上倒一(yi)点淡盐水,双手(shou)摸(mo)一(yi)下湿的(de)空中,即可放掉身上的(de)静电。假(jia)如身边有金(jin)属材质的(de)自来水管(guan),摸(mo)一(yi)下也能够。
1.引脚的判别
1)判(pan)别栅极
将万用(yong)表置于欧姆挡(dang)的(de)(de)(de)10k挡(dang)(图2.3),用(yong)万用(yong)表的(de)(de)(de)表笔丈(zhang)(zhang)量(liang)三(san)个引(yin)(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)中恣(zi)意(yi)(yi)两个引(yin)(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻,总有一个引(yin)(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)与其他(ta)引(yin)(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻接近无量(liang)大,这个引(yin)(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao)就是栅极。留意(yi)(yi)丈(zhang)(zhang)量(liang)的(de)(de)(de)过(guo)程中,手(shou)指或者导体不(bu)能同时接触到恣(zi)意(yi)(yi)两个引(yin)(yin)脚(jiao)(jiao)(jiao),最好将VMOS置于平(ping)整(zheng)的(de)(de)(de)绝缘物体上(shang),如木质桌(zhuo)面(mian)等。
将万用表置于欧姆挡的10k挡,用红、黑表笔分别丈量剩下的两个引脚(图2.3)。
假如(ru)VMOS此时刚(gang)好(hao)是关闭的,则有两(liang)种状(zhuang)况(kuang)。
第一种:指(zhi)针(zhen)偏转(zhuan)很大,表针(zhen)指(zhi)示(shi)(shi)大约10一20k(实践指(zhi)示(shi)(shi)1~2,不要忘了(le)乘以10)。
第(di)二种(zhong):对调(diao)表笔(bi)(bi)位置,指(zhi)针简直尤偏(pian)转。 关于第(di)一种(zhong)状(zhuang)况,黑表笔(bi)(bi)接(jie)的(de)是(shi)源(yuan)极S,红(hong)表笔(bi)(bi)接(jie)的(de)是(shi)漏极D;第(di)二种(zhong)状(zhuang)况则相(xiang)反(fan)。
假如FET此时刚益处于开启状态(VMOS 一旦翻开并不会主动关闭),则也不外乎两种状况。
第一种(zhong),指针偏转很大,与关(guan)闭的情形相仿。
第二种:对调表笔的位置,指针依然有偏转,但比第一种情形明显小,指针指示在150k左右,即处于表盘靠近中间的位置。
关于第一种状况,黑表笔接的是源极s,红表笔接的是漏极D;第二种状况则相反。
综合两(liang)种(zhong)情形,实(shi)践上无(wu)论VMOS是处于(yu)关闭(bi)状态还是翻开状态,总(zong)有(you)一种(zhong)状况是指针的偏转很大,指示为l~2k,此时(shi)黑表笔接的是源(yuan)极s,红表笔接的是漏极D。不(bu)过(guo),这种(zhong)状况对个别(bie)无(wu)体二极管(guan)的VMOS不(bu)适用(yong)。
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