MOS管散热、功率、电流参数关(guan)联分析(xi)-KIA MOS管
信息来源：本站 日(ri)期：2022-06-14
MOS管有(you)如(ru)下(xia)参(can)数：
Operating Junction ：Tmin-Tmax。
Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。
Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
THERMAL RESISTANCE：Rjc 。
Drain?to?Source On Resistance：RDS(on)
为防止mos管温度超过Tmax，因(yin)此有(you)如下公式：
Tmax=Rjc*P+TC.
MOS管的功耗主要来自于电流
P=I*I*Ron。
以NVMFS5C450NL为例：
当TC=25度的时(shi)候:
Power Dissipation=68W.
THERMAL RESISTANCE=2.2.
Rjc*P+TC=2.2*68+25=174.6
器件最高工(gong)作温度(du)(du)是175度(du)(du)，可见是相等的。
Continuous Drain Current=110A.
Drain?to?Source On Resistance：RDS(on)
在175的(de)时候导通电阻(zu)=2.8*1.85=5.18。
I*I*RDS(on)=110*110*0.00518=62.678W。
Power Dissipation=68W.
这两个数据也(ye)是很接近的。
TC,TA等于其(qi)他温度的(de)时候(hou)，这(zhei)个关系也是可(ke)以验(yan)证的(de)。
因此可以得出(chu)结论，mos管的最(zui)大电流，最(zui)大功耗，这(zhei)些(xie)参数的意(yi)义，就是(shi)为了(le)保证mos管的Junction温度不超过最(zui)大限值。
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