【MOS管驱动电路图】电机干扰与防护处理-KIA MOS管

MOS管驱动电路图

此电路(lu)分主电路(lu)(完成功能)和保护功能电路(lu)：

MOS管驱动相关知识：

1、跟双极性晶体(ti)管相(xiang)比,一(yi)(yi)般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(ya)(Vbe类似(si))高于一(yi)(yi)定(ding)的值,就可以了。

MOS管和晶体管向比较 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s （源(yuan)）。

2、NMOS的(de)特性,Vgs大(da)于(yu)一定的(de)值(zhi)就会导通,适合(he)用于(yu)源极接地时的(de)情况(低端驱动),

只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

3、PMOS的(de)(de)特性(xing),Vgs小于(yu)(yu)一定的(de)(de)值就会导通,适(shi)合(he)用(yong)于(yu)(yu)源极接VCC时的(de)(de)情况(高端驱动)，

4、 双极(ji)型管是电流(liu)(liu)控制(zhi)(zhi)器(qi)件（通(tong)过基极(ji)较小的电流(liu)(liu)控制(zhi)(zhi)较大(da)的集电极(ji)电流(liu)(liu)），MOS管是电压控制(zhi)(zhi)器(qi)件（通(tong)过栅极(ji)电压控制(zhi)(zhi)源漏间导通(tong)电阻）。

图为(wei)开路(lu)漏(lou)(lou)极(ji)：漏(lou)(lou)极(ji)原封不动地接负(fu)载，叫开路(lu)漏(lou)(lou)极(ji)。

电(dian)压控制器件，不需要管箭(jian)头是(shi)什么方向。只要Vgs>一定值时，管子导通，负载(zai)有(you)电(dian)流。

主功能电路

PWM信号-MOS管-电机-VIN-地(di)

其(qi)他元件(jian)组成的(de)电路就是(shi)保护电路

主功能:

PWM_LEFT给个高(gao)(gao)(gao)电(dian)(dian)平信号(hao)，MOS管(guan)就(jiu)(jiu)导通(tong)，电(dian)(dian)机转动。还有PWM_RIGHT(高(gao)(gao)(gao)右转)，PWM_DOWN(高(gao)(gao)(gao)下降(jiang))，PWM_UP（高(gao)(gao)(gao)上(shang)升）,都是在此处(chu)给个高(gao)(gao)(gao)信号(hao)电(dian)(dian)机就(jiu)(jiu)旋转。

保(bao)护功能:

这(zhei)个图里除了主功(gong)能电路其他(ta)元(yuan)件都(dou)是为了保护MOS管。

1、比如接(jie)的(de)(de)R4,R5,R12,R1(10K)电(dian)(dian)阻，因为MOS管3个(ge)极与(yu)极之间存在(zai)结电(dian)(dian)容(rong)，当MOS管关断(duan)的(de)(de)一瞬间，MOS管的(de)(de)GS结电(dian)(dian)容(rong)就(jiu)通过这4个(ge)电(dian)(dian)阻放(fang)电(dian)(dian)，从而(er)保(bao)护MOS管，平(ping)时由于电(dian)(dian)阻大，通过这4个(ge)电(dian)(dian)阻的(de)(de)电(dian)(dian)流很小(xiao)，相当于断(duan)开。

2、如果不接(jie)二极管，当关(guan)断MOS管的时候，电机里(li)面有线圈(quan)，会(hui)给MOS的DS极间(jian)一个很高瞬间(jian)电压(ya)，可能会(hui)击穿MOS管。

当(dang)接了二(er)极管(guan)，MOS关断(duan)的(de)一瞬间，电机能通过(guo)二(er)极管(guan)组成一个回(hui)路(lu)，产(chan)生续流的(de)效果(guo)，从而保护了MOS管(guan)。

3、接电容(rong)，就是干电容(rong)改做的(de)工作，滤波，抗干扰这(zhei)些。

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