【电路(lu)精选】MOS管门极驱动电路(lu)图文-KIA MOS管

MOS管门极驱动电路

（1)直接(jie)驱动

电阻R1的作用是限流(liu)和抑制寄生振荡，一般为10Ωm到100Ωm,R2是为关断(duan)时提供放电回路的;稳压(ya)二(er)极(ji)(ji)管D1和(he)(he)D2是(shi)保护MOS管的门(men)]极(ji)(ji)和(he)(he)源极(ji)(ji);二(er)极(ji)(ji)管D3是(shi)加速(su)MOS的关断。

MOS管门极驱动电路

（2)互补三极管驱动(dong)

当MOS管(guan)的功率很大时(shi)，而(er)PWM芯片输出的PWM信号(hao)不足已驱动MOS管(guan)时(shi)，加互补三极管(guan)来提供(gong)较(jiao)大的驱动电流来驱动MOS管。

PWM为高电平时，三极管Q3导通,驱动(dong)MOS管导通;PWM为低电平时，三极管Q2导(dao)通，加(jia)速MOS管的(de)关断(duan);电阻R1和(he)R3的(de)作(zuo)用是限流和(he)抑制寄生振荡，一(yi)般(ban)为10Ωm到100Ωm,R2是为(wei)关(guan)断时提供放电回路的(de);二(er)极管D1是加(jia)速MOS的(de)关(guan)断。

MOS管门极驱动电路

（3)耦(ou)(ou)合驱(qu)动(dong)(利用(yong)驱(qu)动(dong)变压器(qi)耦(ou)(ou)合驱(qu)动(dong))

MOS管(guan)(guan)门极(ji)(ji)驱(qu)动(dong)电(dian)路：当驱(qu)动(dong)信号和功率MOS管(guan)(guan)不(bu)共地或(huo)者MOS管(guan)(guan)的源(yuan)极(ji)(ji)浮地的时候，比如Buck变换器或(huo)者双管(guan)(guan)正激(ji)变换器(qi)中的MOS管，利用(yong)变压(ya)器(qi)进行(xing)耦合驱动(dong)如(ru)图:

MOS管门极驱动电路

驱动变压器(qi)的作用:

1.解(jie)决驱(qu)动MOS管浮地的问(wen)题;

2.解决PWM信号与MOS管不(bu)共(gong)地的问题;

3.一(yi)个驱(qu)动信(xin)号(hao)可以分(fen)成两个驱(qu)动信(xin)号(hao);

4.减少干(gan)扰。

MOS管门极驱动电路图

由于换能器发(fa)出的(de)超声波前辐(fu)射(she)面声压(ya)同施加电压(ya)对时(shi)(shi)间(jian)的(de)导数dU/dt成正比，尽量缩短激(ji)励脉(mai)冲(chong)上升时(shi)(shi)间(jian)至关重要(yao)(yao)。激(ji)励脉(mai)冲(chong)的(de)上升时(shi)(shi)间(jian)主要(yao)(yao)取(qu)决(jue)于MOS管的(de)导通(tong)速度。

而驱(qu)动这种(zhong)大功率的(de)MOS管(guan)(guan)相当于(yu)驱(qu)动容性负载，尤其是工作在较高(gao)频率下时,栅极电容的(de)充放电会(hui)影响(xiang)MOS管(guan)(guan)的(de)开关速度。因此设计了由射极跟随器组成的(de)高(gao)速化驱(qu)动电路来驱(qu)动MOS管(guan)(guan),以提(ti)高(gao)其导通与关断(duan)速度。

下图为MOS管(guan)的(de)(de)门极(ji)驱动(dong)电(dian)路的(de)(de)实现方案。由(you)于射(she)极(ji)跟随(sui)器(qi)吸收电(dian)流(liu)的(de)(de)能(neng)力很(hen)差,所以(yi)在(zai)射(she)极(ji)跟随(sui)器(qi)的(de)(de)输出上附加(jia)了PNP三(san)极(ji)管(guan)Q2,使MOS管(guan)关断时放电(dian)高速(su)化。

当(dang)Q1的(de)(de)(de)基(ji)极为高(gao)电(dian)平(ping)时(shi), Q1饱和导(dao)通,+12V电(dian)源(yuan)通过二极管对Q的(de)(de)(de)门极输入电(dian)容进行高(gao)速(su)充电(dian),使Q快速(su)导(dao)通;当(dang)Q1的(de)(de)(de)基(ji)极为低电(dian)平(ping)时(shi)，Q的(de)(de)(de)门极输入电(dian)容由Q2的(de)(de)(de)发射极向集(ji)电(dian)极快速(su)放(fang)电(dian),使Q迅速(su)关断。

MOS管门极驱动电路