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槽栅MOS器件(jian)优(you)势是什么包括理(li)论及实验(yan)动研究

信息来源(yuan)：本站(zhan)　日期：2017-08-01　

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槽栅构造有利于进步电流控制才能，但是结电容大，不利于工作频率的提高。将平而栅极构造与双扩散有机分离起来，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，横向双扩散MOSFET)（图1.18）。

LDMOS的(de)主要优势是(shi)结电(dian)容小、工作频率高(gao)，合适于微(wei)波应用。

微(wei)波(bo)功(gong)率(lv)(lv)放大器(qi)的(de)(de)(de)封(feng)装(zhuang)与常(chang)见的(de)(de)(de)封(feng)装(zhuang)不同(tong)（图l.19），这(zhei)是和微(wei)波(bo)功(gong)率(lv)(lv)放大相(xiang)(xiang)(xiang)顺(shun)应的(de)(de)(de)。微(wei)波(bo)功(gong)率(lv)(lv)放大应用大都是漏(lou)极(ji)(ji)输出、源极(ji)(ji)接(jie)地的(de)(de)(de)电(dian)路(lu)（共源极(ji)(ji)电(dian)路(lu)），出于(yu)(yu)电(dian)路(lu)规划的(de)(de)(de)思索，TAB(本体散(san)热片)也需求(qiu)和散(san)热器(qi)直(zhi)(zhi)接(jie)相(xiang)(xiang)(xiang)连。LD-MOS的(de)(de)(de)衬(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)（背电(dian)极(ji)(ji)）是源极(ji)(ji)而(er)(er)不是漏(lou)极(ji)(ji)，刚好能(neng)够(gou)满足这(zhei)一需求(qiu)，源极(ji)(ji)衬(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)可以直(zhi)(zhi)接(jie)和TAB相(xiang)(xiang)(xiang)连（图1.19），热阻减小，有(you)利于(yu)(yu)进步功(gong)率(lv)(lv)耗(hao)散(san)能(neng)才能(neng)。而(er)(er)垂直(zhi)(zhi)沟道(dao)的(de)(de)(de)DMOS，衬(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)（背电(dian)极(ji)(ji)）是漏(lou)极(ji)(ji)，用于(yu)(yu)微(wei)波(bo)的(de)(de)(de)垂直(zhi)(zhi)沟道(dao)MOS功(gong)率(lv)(lv)器(qi)件(jian)，通常(chang)是在TAB与衬(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)之间(jian)设置Be0(氧化镀)隔离(li)层，既增加了(le)热阻，又进步了(le)封(feng)装(zhuang)本钱。