利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

广东利盈娱乐半导体科技有限公司

国家高新企业

cn

新闻中心

槽栅(zha)MOS器(qi)件优势是(shi)什么包括(kuo)理(li)论及(ji)实验动研究(jiu)

信息来源：本站　日(ri)期：2017-08-01　

分享到：

槽栅构造有利于进步电流控制才能，但是结电容大，不利于工作频率的提高。将平而栅极构造与双扩散有机分离起来，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，横向双扩散MOSFET)（图1.18）。

LDMOS的主(zhu)要优(you)势是结电容小、工作(zuo)频(pin)率高，合适于(yu)微波应用。

微(wei)(wei)波(bo)功(gong)率(lv)放大(da)(da)(da)器的(de)(de)封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)与(yu)常见的(de)(de)封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)不同（图(tu)l.19），这是和(he)微(wei)(wei)波(bo)功(gong)率(lv)放大(da)(da)(da)相顺应(ying)的(de)(de)。微(wei)(wei)波(bo)功(gong)率(lv)放大(da)(da)(da)应(ying)用(yong)大(da)(da)(da)都是漏极(ji)(ji)输出、源极(ji)(ji)接地的(de)(de)电(dian)(dian)路（共源极(ji)(ji)电(dian)(dian)路），出于(yu)电(dian)(dian)路规划(hua)的(de)(de)思(si)索(suo)，TAB(本体散(san)热片)也需求(qiu)和(he)散(san)热器直(zhi)接相连。LD-MOS的(de)(de)衬底（背电(dian)(dian)极(ji)(ji)）是源极(ji)(ji)而(er)不是漏极(ji)(ji)，刚好能够满足这一需求(qiu)，源极(ji)(ji)衬底可(ke)以直(zhi)接和(he)TAB相连（图(tu)1.19），热阻减小，有利于(yu)进步(bu)功(gong)率(lv)耗散(san)能才能。而(er)垂(chui)直(zhi)沟道的(de)(de)DMOS，衬底（背电(dian)(dian)极(ji)(ji)）是漏极(ji)(ji)，用(yong)于(yu)微(wei)(wei)波(bo)的(de)(de)垂(chui)直(zhi)沟道MOS功(gong)率(lv)器件，通常是在TAB与(yu)衬底之间设置Be0(氧化(hua)镀)隔(ge)离层，既增(zeng)加了热阻，又进步(bu)了封(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)本钱(qian)。


关注KIA半导体工程(cheng)专辑请搜(sou)微信(xin)号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进(jin)入官方微信(xin)“关注”。

阅读原文可一键关(guan)注+技(ji)术总汇

相关资讯

login_利盈娱乐「一家用心的游戏平台」 沐鸣娱乐(中国)创新平台科技有限公司 鼎点耀世娱乐