辉达娱乐 - 辉达平台「注册畅享无限精彩」mos管芯片-常用mos管芯片的应用封装结构分析-KIA MOS管

mos管(guan)芯片(pian)-常用(yong)mos管(guan)芯片(pian)的应用(yong)封(feng)装结构分析(xi)-KIA MOS管(guan)

信息来源(yuan)：本站　日期：2017-07-31　

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HEXMOS与管芯(xin)构造(zao) ，为了(le)增加水(shui)龙头(tou)的流量，水(shui)龙头(tou)能够将(jiang)口(kou)径(jing)做得很大，这时分的水(shui)龙头(tou)一般称(cheng)为“阀门”，当(dang)然也能够用多(duo)个(ge)小口(kou)径(jing)的水(shui)龙头(tou)来替代，只是工程上很少这样(yang)用。

功率晶体管恰恰采用的是第二种办法，用无数个“小晶体管”构成更大功率的晶体管，假如是分立元件，这种办法—般称为“并联”，关于单个晶体管，这种办法称为“多（单）元集成”。

HEXMOS就是门前最主流的一种MOSFET“管芯单元”的规划方式(图1. 20)，专利是美国IR公司的。由于“管芯单元”的规划外形呈”Hcxagonal（六边形）而得名。

图1. 20所示(shi)的是N沟道的HEXFET的构造(zao)表示(shi)图，图中也画出了电(dian)流(liu)的方向(xiang)。由于(yu)MOSFET只能耐受比(bi)拟高的正向(xiang)电(dian)压，多数MOSFET曾(ceng)经(jing)内置了维护(hu)二(er)(er)极管(guan)(guan)，这(zhei)就是体二(er)(er)极管(guan)(guan)。关于(yu)体二(er)(er)极管(guan)(guan)，在后(hou)续章节(jie)中还会有细致(zhi)引见。
需(xu)求阐明(ming)的是(shi)，这(zhei)是(shi)一个(ge)(ge)3D构(gou)造，漏极和(he)漏区在垂直方(fang)向。每(mei)一个(ge)(ge)六边(bian)形单元(yuan)并(bing)不(bu)是(shi)一个(ge)(ge)“管(guan)芯单元(yuan)”，而是(shi)多个(ge)(ge)“管(guan)芯单元(yuan)”的排(pai)列组(zu)合。这(zhei)一点从电子(zi)显微镜照片上(shang)能够更为分(fen)明(ming)地(di)看到（图1. 21）。

每一(yi)个(ge)(ge)并联的(de)“小(xiao)晶体管(guan)”称(cheng)为(wei)(wei)“Cell”或者“Chip Cell"，普通中文(wen)材料都将其译为(wei)(wei)“元胞(bao)”，本书则(ze)将它们称(cheng)为(wei)(wei)“管(guan)芯(xin)单元”，由于它们就是(shi)一(yi)个(ge)(ge)个(ge)(ge)完(wan)好的(de)微型品(pin)体管(guan)。无论是(shi)小(xiao)功(gong)率还是(shi)大功(gong)率晶体管(guan)，都包含不止一(yi)个(ge)(ge)这样的(de)“管(guan)芯(xin)单元”，只是(shi)数(shu)量不同(tong)而(er)已。

最后封装在一同的“管芯唯元”的汇合，就是“管芯”。“管芯单元”在“管芯”上的排列办法与多个分立元件的晶体管并联排列办法有很大的不同，但是目的是相同的：优化电路规划，减少占板面积。关于“管芯”而言，是在尽量小的硅片上包容尽量多的“管芯单元”。

虽然HEXFET是目(mu)前较为主流的(de)规划构造，为很多第"方制造商所采(cai)用，但也不(bu)是独一的(de)规划

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