场效应管的简单分类：JFET与MOSFET

如何构(gou)建一(yi)个(ge)可以(yi)控制沟(gou)道(dao)电流(liu)的栅极（区）呢？

目前大致有两种办法，一种是用两个相同的半导体构(gou)建栅(zha)区(qu)，这(zhei)(zhei)两(liang)个栅(zha)区(qu)就像水龙头的(de)(de)(de)(de)(de)阀芯与阀座(zuo)，所不同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)，阀座(zuo)是(shi)固定的(de)(de)(de)(de)(de)，而(er)两(liang)个栅(zha)区(qu)都是(shi)“挪(nuo)动”的(de)(de)(de)(de)(de)，即两(liang)个栅(zha)区(qu)同(tong)时控(kong)制导电通道(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)宽(kuan)窄(zhai)大小从而(er)控(kong)制流过(guo)通道(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)电流的(de)(de)(de)(de)(de)大小，控(kong)制办法是(shi)应用(yong)(yong)电场构(gou)成(cheng)根本不导电的(de)(de)(de)(de)(de)“耗尽区(qu)”，功用(yong)(yong)构(gou)造如(ru)图1.9所示。这(zhei)(zhei)种构(gou)造的(de)(de)(de)(de)(de)FET就是(shi)JFET(Junction gate FET)，由于沟(gou)道(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)不同(tong)，有N沟(gou)道(dao)JFET(NJFET)和P沟(gou)道(dao)JFET(PJFET)之(zhi)分，其沟(gou)道(dao)分别为(wei)N型和P型半导体。N沟(gou)道(dao)JFET的(de)(de)(de)(de)(de)构(gou)造简(jian)图如(ru)图1.9所示，关(guan)于P沟(gou)道(dao)，只需求将N与P对(dui)调即可。

所谓“耗尽区(qu)”(Depletion Region)，就是两个不同(tong)性质的(de)(de)半导体(ti)的(de)(de)分界面两侧(ce)左近的(de)(de)区(qu)域，由于(yu)电场的(de)(de)吸(xi)收(shou)作用，载(zai)流子(zi)（自在电子(zi)和空穴）分别被两侧(ce)的(de)(de)半导体(ti)区(qu)域“耗费”殆(dai)尽了(le)。耗尽区(qu)根本(ben)个导电，属(shu)于(yu)高阻区(qu)（电阻比拟高的(de)(de)区(qu)域）。

另一种比JFET想象(xiang)提出稍微早一些(xie)但是(shi)(shi)工程理论(lun)却略微迟一些(xie)的(de)是(shi)(shi)下面的(de)构造(zao)（图1. 10）。栅极(ji)（区）由(you)金属板构成而不是(shi)(shi)半导体，徭要留意的(de)是(shi)(shi)，无论(lun)是(shi)(shi)图1.9还是(shi)(shi)图1. 10，图中(zhong)的(de)纯黑(hei)区域(yu)是(shi)(shi)引(yin)线电(dian)(dian)极(ji)，是(shi)(shi)为了电(dian)(dian)极(ji)的(de)引(yin)出而设的(de)，即端电(dian)(dian)极(ji)，与(yu)之相连的(de)才是(shi)(shi)功用电(dian)(dian)极(ji)，即实践的(de)栅极(ji)、漏极(ji)与(yu)源(yuan)极(ji)，由(you)于(yu)它们(men)实践上是(shi)(shi)一个区域(yu)，才有诸如“栅区”这样(yang)的(de)称谓。

由于图1. 10所示的这种构造与JFET相比，主要的区别是金属层、氧化膜和“掺杂”的半导体，MOSFET的名字大致就是这样来的。与JFET 一样，由于导电沟道的不同，MOSFET也(ye)有N河道(dao)MOSFFET( NMOS)和(he)P沟道(dao)MOS-FET(PMOS)两类，其(qi)沟道(dao)分(fen)别为(wei)N型(xing)和(he)P型(xing)半(ban)导(dao)体，图1.10是N沟道(dao)JFET。关(guan)于P沟道(dao)，只需(xu)求将N与P对调即(ji)可(ke)。另(ling)外，PMOS和(he)NMOS -般用于称谓(wei)集(ji)成电(dian)路(lu)中(zhong)的(de)器(qi)件单(dan)元，在(zai)普通分(fen)立元件的(de)电(dian)路(lu)中(zhong)很少这样称谓(wei)，有时(shi)分(fen)PMOS也(ye)是功率(lv)MOSFET(Power MOSFET)的(de)简(jian)称。

图1. 10只是最初的构造，如今的功率MOSFET，其中(zhong)金(jin)属层(ceng)和金(jin)属酸化膜(mo)(mo)（氧化膜(mo)(mo)）曾经分别被多晶硅(Polysilicon)和Si0：（氧化膜(mo)(mo)）取代(dai)了(le)，MOSFET称号(hao)中(zhong)的(de)“M”(Metal)与(yu)“O”(Oxide)曾经名存实亡了(le)。MOSET也(ye)称为IGFET(In-sulated Gate Field Effect Transistor绝缘(yuan)栅场效应(ying)晶体管)，这个称号(hao)以今天(tian)的(de)目光(guang)来(lai)看，更具有前瞻性，也(ye)更为适宜。

多晶(jing)硅并不是“导(dao)体”而是“半导(dao)体”，从这一点(dian)来看，JFET与(yu)MOSFET的区别(bie)经过一段时(shi)间(jian)的开展之后减小(xiao)了，有点(dian)“异曲同工”的滋味。

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