场效应管主要(yao)参数是(shi)什么？电(dian)子元(yuan)器件主要(yao)参数是(shi)什么？
信息(xi)来(lai)源(yuan)：本(ben)站 日期：2017-07-21
通(tong)常将刚(gang)(gang)刚(gang)(gang)形成导电沟道、出(chu)现漏极电流ID时对应的(de)栅一(yi)源电压称为开启电压，用(yong)UGS(th)或UT表示。
开启(qi)电压UT是MOS增强型(xing)管的参数。当(dang)栅(zha)一源电压UGS小于开启(qi)电压的绝对(dui)值时(shi)，场效应管不能导(dao)通。
当(dang)UDS为某一固(gu)定值(如10V)，使ID等于某一微小电(dian)流(liu)(如50mA)时(shi)(shi)，栅一源极(ji)间加的(de)电(dian)压(ya)即为夹断电(dian)压(ya)。当(dang)UGS＝UP时(shi)(shi)，漏极(ji)电(dian)流(liu)为零。
饱和(he)漏(lou)极(ji)电流IDSS是在UGS =0的条件下，场效应管(guan)发生(sheng)预夹断时(shi)的漏(lou)极(ji)电流。IDSS型场效应管(guan)所(suo)能输出的最大电流。
直流(liu)输入电阻RGS是漏一源短路，栅(zha)一源加电压时栅(zha)一源极 之(zhi)间的直流(liu)电阻。
结型场效应(ying)管(guan)：RGS》107ΩMOS管(guan)：RGS>109～1015Ω。
漏极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)微变(bian)量(liang)与栅(zha)一(yi)源(yuan)电(dian)(dian)压(ya)微变(bian)量(liang)之比，即gm＝△ID/△UGS。它是(shi)衡(heng)量(liang)场效应管栅(zha)一(yi)源(yuan)电(dian)(dian)压(ya)对漏极(ji)电(dian)(dian)流(liu)(liu)控制能力的(de)一(yi)个(ge)参数(shu)。gm相当于三(san)极(ji)管的(de)hFE。
最大漏(lou)极(ji)功耗(hao)PD＝UDSID，相当于(yu)三极(ji)管(guan)的PCM。
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