n沟道和(he)p沟道增强(qiang)型mos管(guan)的工作原理(li) 场效应mos管(guan)
信息来源：本站 日期：2017-07-17
绝缘栅型场效应管的(de)构(gou)造(zao)表示图如图2-34所示。
N沟道加强型(xing)(xing)MOSFET的沟道构成及符号(hao)(hao)如(ru)图(tu)(tu)2-35所示(shi)，其中图(tu)(tu)2-35 (a)所示(shi)是在(zai)一(yi)块(kuai)杂质(zhi)浓度较(jiao)低的P型(xing)(xing)半(ban)导(dao)体衬(chen)(chen)底上制造两(liang)个高浓度的N型(xing)(xing)区，并分别将它们作为源(yuan)极(ji)s和漏(lou)极(ji)D，然后在(zai)衬(chen)(chen)底的外表制造一(yi)层(ceng)Si02绝缘层(ceng)，并在(zai)上面引(yin)出一(yi)个电极(ji)作为栅极(ji)G。图(tu)(tu)2-35(b)所示(shi)是其在(zai)电路中的符号(hao)(hao)。
N沟道加强型MOSFET的转移特性曲线如图(tu)2-36所示。
式(shi)中，UT为开启电压（或(huo)阈值电压）；μn为沟道电子运动的(de)迁移率；Cox为巾位面积栅极电容；W为沟道宽度(du)；疋为沟道长度(du)；W/L为MOSFET的(de)宽长比。在MOSFET集成电路设计中，宽长比是(shi)一个极为重要的(de)参数。
N沟(gou)道MOS管的输(shu)出特(te)性曲线如(ru)图2-37所示。与结型(xing)场效应管的输(shu)出特(te)性相似，它也分为(wei)恒流(liu)区(qu)、叮变电(dian)阻区(qu)、截止区(qu)和(he)击穿区(qu)。其(qi)特(te)性如(ru)下所示。
①截止区：UGS≤UT，导电沟道未构成，iD=0。
②恒流区：
·曲(qu)线距离平(ping)均，UGS对iP的控制才能强；
·UDS对iD的控制(zhi)才能弱，曲线平(ping)整；
·进入恒(heng)流区的条件，即预灾断条件为UDS≥UCS-UT。
③可变电阻区(qu)：
可变电阻区的电流方程为
因而，可变电阻区(qu)的(de)输出(chu)电阻rDS为
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