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场效(xiao)应(ying)管的分类(lei)

场效应管可分为两类：一类足结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，也称MOS管。结型场(chang)效(xiao)应管依据其沟(gou)(gou)道(dao)(dao)所采用的(de)半导体资料，又分为N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)和P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)两种；绝缘栅型场(chang)效(xiao)应管除有(you)N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)和P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)之格外，还有(you)加强型与耗尽型之分。如图6-2所示。

N沟道结型场效应管(guan)的(de)(de)基体是一(yi)块N型硅资(zi)料。从(cong)基体引(yin)出两(liang)个(ge)电(dian)(dian)极分别叫(jiao)源极(s)和漏极(D)。在(zai)基体两(liang)边(bian)各附(fu)一(yi)小片P型资(zi)料，其引(yin)出的(de)(de)电(dian)(dian)极叫(jiao)栅极(G)。这样，在(zai)沟道和栅极之间构(gou)成厂两(liang)个(ge)PN结，当栅极开路(lu)时，沟道就相(xiang)当于(yu)一(yi)个(ge)电(dian)(dian)阻(zu)，不(bu)同型号的(de)(de)管(guan)子(zi)其阻(zu)值相(xiang)同，普通大约为数百(bai)欧(ou)到(dao)千(qian)欧(ou)。图6-3所示为结型场效应管(guan)的(de)(de)构(gou)造与符号。

2．绝缘栅(zha)型场效应管(简称MOSFET)

依据绝缘层所用资料之不同，绝缘栅型场效应管有多品种型，目前应用最普遍的一种是以二氧化硅(Si02)为绝缘层的金属—氧化物—半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)场效应管，简称MOS场效应管(MOSFET)。

绝缘(yuan)栅型(xing)(xing)场(chang)效应管分(fen)(fen)为加强型(xing)(xing)与耗尽型(xing)(xing)，每(mei)一(yi)类又有N沟(gou)道(dao)、P沟(gou)道(dao)之分(fen)(fen)。

绝缘栅(zha)(zha)(zha)(zha)型(xing)场效(xiao)应(ying)管(guan)的(de)特性是(shi)输人(ren)电(dian)阻高，便于做(zuo)成(cheng)集成(cheng)电(dian)路(lu)。在一(yi)(yi)块N型(xing)硅片(pian)上(shang)有两个(ge)相(xiang)距很(hen)近浓度(du)很(hen)高的(de)P扩散区，分别(bie)为(wei)源(yuan)极(ji)和漏(lou)极(ji)。在源(yuan)区与漏(lou)区之间的(de)硅片(pian)上(shang)，有一(yi)(yi)层(ceng)绝缘二氧(yang)化硅，绝缘层(ceng)上(shang)掩盖着金(jin)属铝(lv)，这(zhei)就是(shi)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)。栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)和其他(ta)电(dian)极(ji)之间是(shi)绝缘的(de)，所以称为(wei)绝缘栅(zha)(zha)(zha)(zha)型(xing)场效(xiao)应(ying)管(guan)。由于源(yuan)、栅(zha)(zha)(zha)(zha)之间有一(yi)(yi)层(ceng)氧(yang)化层(ceng)，这(zhei)种管(guan)子根本上(shang)没有栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)电(dian)流(liu)，因(yin)而输入阻抗十分高。图6-4所示为(wei)绝缘栅(zha)(zha)(zha)(zha)型(xing)场效(xiao)应(ying)管(guan)的(de)构(gou)造(zao)与场效(xiao)应(ying)管(guan)符号。

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