场效应管有什么特(te)点以及工作原(yuan)理 电(dian)子元器件(jian)
信(xin)息来源：本站(zhan) 日期：2017-07-12
场效应管有(you)什么特点
场(chang)效应管的(de)特点足由(you)栅极(ji)电压U(;控制其漏极(ji)电流ID和普通(tong)双(shuang)极(ji)型晶体(ti)管相(xiang)比较，场(chang)效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功(gong)耗小、易于(yu)集成(cheng)等特点。
场效应管(guan)的基本(ben)工作原理如图4-24所(suo)示（以(yi)结(jie)型N沟道管(guan)为例(li)）。由于栅极(ji)G接(jie)有(you)负偏(pian)压（-UG），在G附(fu)近形成耗尽层。
当负偏(pian)压（- UG)的绝对值(zhi)增(zeng)大时，耗(hao)尽层增(zeng)大，沟道减小(xiao)，漏(lou)(lou)极电(dian)流ID减小(xiao)。当负偏(pian)压（一(yi)UG），在的绝对值(zhi)减小(xiao)时，耗(hao)尽层减小(xiao)，沟道增(zeng)大，漏(lou)(lou)极电(dian)流ID增(zeng)大。可见，漏(lou)(lou)极电(dian)流ID，受栅极电(dian)压的控(kong)制(zhi)，所以(yi)场效应(ying)管是电(dian)压控(kong)制(zhi)型器(qi)件，即通过输入电(dian)压的变化来控(kong)制(zhi)输出电(dian)流的变化，从而达(da)到放大等目的。
和(he)双极型晶(jing)体管一样，场效(xiao)应管用于放大等电路时(shi)，其栅(zha)极也应加偏(pian)置电压(ya)。
结型场效应管(guan)的(de)栅极应加(jia)反向偏置电压，即N沟道管(guan)加(jia)负栅压，mos管(guan)P沟道管(guan)加正(zheng)栅(zha)压(ya)。增(zeng)强型(xing)绝缘(yuan)栅(zha)场(chang)效应(ying)(ying)管应(ying)(ying)加正(zheng)向(xiang)栅(zha)压(ya)。耗尽型(xing)绝缘(yuan)栅(zha)场(chang)效应(ying)(ying)管的栅(zha)压(ya)可正(zheng)、可负、可为“o”，见表4-2。加偏置的方法有固定偏置法、自给(ji)偏置法、直(zhi)接耦合法等。
mos漏极 mos管栅极电(dian)压(ya) 场效晶体管
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