IGBT工(gong)作原(yuan)理,解析IGBT工(gong)作原(yuan)理及作用
信(xin)息来源：本站(zhan) 日期：2017-07-10
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双(shuang)极(ji)型晶体管，是由BJT(双(shuang)极(ji)型三(san)极(ji)管)和(he)MOS(绝缘栅型场效(xiao)应管)组成的复合(he)(he)全控(kong)型电压驱动式功(gong)率(lv)半导体器件(jian), 兼有MOSFET的高输入阻(zu)抗(kang)和(he)GTR的低导通(tong)压降(jiang)两方面的优(you)点。GTR饱(bao)和(he)压降(jiang)低，载流密(mi)度(du)(du)大(da)，但驱动电流较(jiao)大(da);MOSFET驱动功(gong)率(lv)很(hen)小(xiao)，开(kai)关速度(du)(du)快，但导通(tong)压降(jiang)大(da)，载流密(mi)度(du)(du)小(xiao)。IGBT综合(he)(he)了(le)以上两种器件(jian)的优(you)点，驱动功(gong)率(lv)小(xiao)而饱(bao)和(he)压降(jiang)低。非常适合(he)(he)应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机(ji)、变频器、开(kai)关电源、照明电路(lu)、牵引(yin)传动等领域。
通(tong)(tong)俗来讲:IGBT是(shi)一(yi)种大(da)功(gong)率的(de)电(dian)力电(dian)子(zi)器件，是(shi)一(yi)个非通(tong)(tong)即(ji)断的(de)开(kai)关，IGBT没有(you)放大(da)电(dian)压的(de)功(gong)能，导通(tong)(tong)时可以看做导线，断开(kai)时当做开(kai)路。三大(da)特点就是(shi)高压、大(da)电(dian)流、高速。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双(shuang)极(ji)(ji)(ji)型晶(jing)体管）的(de)(de)缩(suo)写，IGBT是由MOSFET和双(shuang)极(ji)(ji)(ji)型晶(jing)体管复合而成(cheng)的(de)(de)一种器(qi)件(jian)(jian)，其输(shu)入极(ji)(ji)(ji)为MOSFET，输(shu)出极(ji)(ji)(ji)为PNP晶(jing)体管，它融和了(le)这(zhei)两种器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)优(you)点(dian)，既具(ju)有MOSFET器(qi)件(jian)(jian)驱动功(gong)率(lv)(lv)(lv)小和开(kai)关速度快(kuai)的(de)(de)优(you)点(dian)，又(you)具(ju)有双(shuang)极(ji)(ji)(ji)型器(qi)件(jian)(jian)饱和压(ya)降低而容(rong)量大的(de)(de)优(you)点(dian)，其频(pin)率(lv)(lv)(lv)特(te)性介于MOSFET与功(gong)率(lv)(lv)(lv)晶(jing)体管之间，可正常工作(zuo)于几十kHz频(pin)率(lv)(lv)(lv)范围内，在现代电力电子(zi)技术中(zhong)得到了(le)越(yue)来(lai)越(yue)广泛的(de)(de)应(ying)用，在较高(gao)频(pin)率(lv)(lv)(lv)的(de)(de)大、中(zhong)功(gong)率(lv)(lv)(lv)应(ying)用中(zhong)占据了(le)主导地位。
IGBT的(de)等效电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)如图1所示。由图1可知，若(ruo)(ruo)在IGBT的(de)栅极(ji)(ji)(ji)和(he)发射(she)极(ji)(ji)(ji)之(zhi)间加(jia)上(shang)驱动(dong)正(zheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)，则MOSFET导(dao)通，这样PNP晶体管的(de)集电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)与基极(ji)(ji)(ji)之(zhi)间成低阻状态而(er)使得晶体管导(dao)通；若(ruo)(ruo)IGBT的(de)栅极(ji)(ji)(ji)和(he)发射(she)极(ji)(ji)(ji)之(zhi)间电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)为0V，则MOS 截止(zhi)，切断PNP晶体管基极(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)供给，使得晶体管截止(zhi)。IGBT与MOSFET一样也(ye)是电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)控制型器件(jian)，在它的(de)栅极(ji)(ji)(ji)—发射(she)极(ji)(ji)(ji)间施加(jia)十几V的(de)直流(liu)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)，只(zhi)有在uA级的(de)漏电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)流(liu)过，基本上(shang)不消耗功(gong)率。
IGBT模(mo)块(kuai)的(de)电压规格与所使用(yong)装(zhuang)置的(de)输(shu)入(ru)电源即试(shi)电电源电压紧密相关(guan)。其相互关(guan)系见下表。使用(yong)中当IGBT模(mo)块(kuai)集电极电流(liu)增大(da)时(shi)，所产生(sheng)的(de)额定损(sun)耗亦(yi)变大(da)。同时(shi)，开(kai)关(guan)损(sun)耗增大(da)，使原件发(fa)热(re)加剧，因此，选用(yong)IGBT模(mo)块(kuai)时(shi)额定电流(liu)应(ying)大(da)于负载电流(liu)。特别是用(yong)作高频开(kai)关(guan)时(shi)，由(you)于开(kai)关(guan)损(sun)耗增大(da)，发(fa)热(re)加剧，选用(yong)时(shi)应(ying)该降等使用(yong)。
由于(yu)IGBT模块(kuai)为MOSFET结构，IGBT的(de)栅极(ji)通过一层(ceng)氧化膜(mo)与发射(she)极(ji)实现(xian)电隔(ge)离。由于(yu)此(ci)氧化膜(mo)很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因(yin)此(ci)因(yin)静(jing)电而导致栅极(ji)击穿是IGBT失(shi)效(xiao)的(de)常(chang)见原因(yin)之一。因(yin)此(ci)使(shi)用中要注意以下几点(dian)：
在使(shi)用模(mo)块时，尽量不要(yao)(yao)用手(shou)触摸(mo)驱动端子部(bu)分，当必须要(yao)(yao)触摸(mo)模(mo)块端子时，要(yao)(yao)先将人体或衣(yi)服上(shang)的静电(dian)用大电(dian)阻接(jie)地(di)进行放电(dian)后，再(zai)触摸(mo)；
在用导电材料连接模(mo)块驱动(dong)端子时，在配(pei)线未接好(hao)之前请先不要(yao)接上(shang)模(mo)块；
尽量(liang)在底板良好接地(di)的情况(kuang)下操(cao)作。
在应(ying)用中(zhong)有(you)时虽然保证了(le)栅极(ji)驱动(dong)电(dian)(dian)压(ya)没有(you)超过(guo)栅极(ji)最(zui)大额定电(dian)(dian)压(ya)，但栅极(ji)连线(xian)(xian)的(de)寄(ji)生(sheng)电(dian)(dian)感(gan)(gan)和栅极(ji)与集电(dian)(dian)极(ji)间的(de)电(dian)(dian)容耦(ou)合，也(ye)会产生(sheng)使(shi)氧化层(ceng)损坏的(de)振荡电(dian)(dian)压(ya)。为此，通常采用双绞线(xian)(xian)来传(chuan)送驱动(dong)信号，以减少(shao)寄(ji)生(sheng)电(dian)(dian)感(gan)(gan)。在栅极(ji)连线(xian)(xian)中(zhong)串(chuan)联小电(dian)(dian)阻(zu)也(ye)可(ke)以抑制振荡电(dian)(dian)压(ya)。
此外(wai)，在栅极(ji)(ji)—发(fa)射(she)(she)极(ji)(ji)间开路时，若在集(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)与发(fa)射(she)(she)极(ji)(ji)间加上电(dian)(dian)(dian)压，则随(sui)着集(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)位的变化，由于集(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)有(you)漏电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)过(guo)，栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)位升(sheng)高，集(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)则有(you)电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)过(guo)。这(zhei)时，如果(guo)集(ji)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)与发(fa)射(she)(she)极(ji)(ji)间存在高电(dian)(dian)(dian)压，则有(you)可(ke)能(neng)使IGBT发(fa)热及至损坏。
在(zai)(zai)使用IGBT的(de)场合，当栅(zha)极(ji)回(hui)路(lu)不正常或栅(zha)极(ji)回(hui)路(lu)损坏时(shi)（栅(zha)极(ji)处于(yu)开路(lu)状态），若在(zai)(zai)主回(hui)路(lu)上加上电(dian)压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在(zai)(zai)栅(zha)极(ji)与发射极(ji)之(zhi)间串(chuan)接一只10KΩ左(zuo)右(you)的(de)电(dian)阻。
在安装或更(geng)换IGBT模(mo)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)时(shi)，应(ying)十分重视IGBT模(mo)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)与(yu)散(san)(san)(san)(san)热(re)片的接触面状态和拧紧程度。为(wei)了减少接触热(re)阻，最(zui)好在散(san)(san)(san)(san)热(re)器与(yu)IGBT模(mo)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)间涂抹(mo)导(dao)热(re)硅脂。一般散(san)(san)(san)(san)热(re)片底部安装有散(san)(san)(san)(san)热(re)风(feng)(feng)扇(shan)，当(dang)散(san)(san)(san)(san)热(re)风(feng)(feng)扇(shan)损坏中散(san)(san)(san)(san)热(re)片散(san)(san)(san)(san)热(re)不(bu)良(liang)时(shi)将导(dao)致IGBT模(mo)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)发(fa)热(re)，而发(fa)生故(gu)障(zhang)。因此(ci)对散(san)(san)(san)(san)热(re)风(feng)(feng)扇(shan)应(ying)定期进行检查(cha)，一般在散(san)(san)(san)(san)热(re)片上(shang)靠近IGBT模(mo)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)的地方安装有温度感应(ying)器，当(dang)温度过高时(shi)将报(bao)警或停止IGBT模(mo)块(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)工作。
IGBT驱动电(dian)路(lu)的(de)作用主要是将(jiang)单片(pian)机(ji)脉冲输出(chu)的(de)功率进行放大(da)，以达到驱动IGBT功率器件的(de)目的(de)。在保证IGBT器件可(ke)靠、稳定、安全工(gong)作的(de)前(qian)提，驱动电(dian)路(lu)起到至关重(zhong)要的(de)作用。
IGBT的(de)等效电路(lu)及符合如图1所示,IGBT由栅(zha)极正(zheng)负电压(ya)来(lai)控制。当加(jia)上正(zheng)栅(zha)极电压(ya)时(shi),管(guan)子(zi)导通;当加(jia)上负栅(zha)极电压(ya)时(shi),管(guan)子(zi)关断。
IGBT具有和双极型电(dian)力晶体管类(lei)似的(de)(de)(de)伏安特(te)性,随着(zhe)控制(zhi)电(dian)压UGE的(de)(de)(de)增加,特(te)性曲线上(shang)移。开(kai)关电(dian)源中(zhong)的(de)(de)(de)IGBT通过(guo)UGE电(dian)平(ping)的(de)(de)(de)变化,使其在饱和与截止两种状态交替工作。
(1)提供适当的正(zheng)反(fan)向(xiang)电压(ya),使IGBT能可(ke)靠地(di)开(kai)通和关(guan)断。当正(zheng)偏(pian)压(ya)增大(da)时(shi)IGBT通态压(ya)降和开(kai)通损(sun)耗均下降,但若UGE过大(da),则负载短路时(shi)其IC随UGE增大(da)而增大(da),对其安全(quan)不利,使用中选UGEν15V为好。负偏(pian)电压(ya)可(ke)防止由于(yu)关(guan)断时(shi)浪涌电流过大(da)而使IGBT误(wu)导通,一般(ban)选UGE=-5V为宜。
(2)IGBT的开(kai)关(guan)时间应综合考(kao)虑。快速(su)开(kai)通和关(guan)断(duan)有利(li)于提高(gao)工作频率(lv),减小开(kai)关(guan)损(sun)耗。但在大电感(gan)负(fu)载下(xia),IGBT的开(kai)频率(lv)不宜过大,因(yin)为高(gao)速(su)开(kai)断(duan)和关(guan)断(duan)会产(chan)生(sheng)很高(gao)的尖峰电压,及有可能造成IGBT自(zi)身(shen)或其他元件击穿。
(3)IGBT开通(tong)后，驱动电路应提供足够的电压、电流幅值，使IGBT在正常工作及过(guo)载情况(kuang)下(xia)不致退出(chu)饱和而损(sun)坏(huai)。
(4)IGBT驱动电(dian)(dian)路中的(de)电(dian)(dian)阻RG对(dui)工作性能有(you)较(jiao)大的(de)影响(xiang)，RG较(jiao)大，有(you)利于抑制IGBT的(de)电(dian)(dian)流(liu)上升(sheng)率(lv)及电(dian)(dian)压上升(sheng)率(lv)，但会(hui)增加IGBT的(de)开(kai)关时间和(he)开(kai)关损(sun)耗；RG较(jiao)小(xiao)，会(hui)引(yin)起电(dian)(dian)流(liu)上升(sheng)率(lv)增大，使IGBT误导(dao)通或损(sun)坏。RG的(de)具体数(shu)据(ju)与(yu)驱动电(dian)(dian)路的(de)结构及IGBT的(de)容量(liang)有(you)关,一般在几欧(ou)～几十(shi)欧(ou),小(xiao)容量(liang)的(de)IGBT其RG值(zhi)较(jiao)大。
(5)驱动电路应(ying)具有较强的抗干扰能力(li)及(ji)对IG2BT的保护功能。IGBT的控制(zhi)、 驱动及(ji)保护电路等应(ying)与(yu)其高速开关(guan)特(te)性相匹配,另外,在未采(cai)取(qu)适(shi)当的防静电措施情况(kuang)下,G—E断(duan)不能开路。
IGBT是一个三端器(qi)件，它拥有(you)栅极G、集电极c和发射极E。IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号如图所示。
如图所示为N沟道VDMOSFFT与GTR组合的N沟道IGBT(N-IGBT)的内部结构断面示意图。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，形成丁一个大面积的PN结J1。由于IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子，因而对漂移区电导率进行调制，可仗IGBT具有很强的通流能力。介于P+注入区与N-漂移区之间的N+层称为缓冲区。有无缓冲区决定了IGBT具有不同特性。有N*缓冲区的IGBT称为非对称型IGBT，也称穿通型IGBT。它具有正向压降小、犬断时间短、关断时尾部电流小等优点，但其反向阻断能力相对较弱。无N-缓冲区的IGBT称为对称型IGBT，也称非穿通型IGBT。它具有较强的正反向阻断能力，但它的其他特性却不及非对称型IGBT。
如图2-42 (b)所(suo)示的(de)简化等(deng)效电路表明(ming)，IGBT是由GTR与MOSFET组成(cheng)的(de)达林顿结(jie)(jie)构(gou)，该(gai)结(jie)(jie)构(gou)中的(de)部分(fen)是MOSFET驱动，另(ling)一部分(fen)是厚基(ji)区PNP型晶体管。
简(jian)单来说，IGBT相当于一个由MOSFET驱(qu)动的(de)(de)(de)(de)厚基区PNP型晶(jing)(jing)体(ti)管，它的(de)(de)(de)(de)简(jian)化(hua)等效电(dian)路如图(tu)2-42(b)所示，图(tu)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)RN为(wei)(wei)PNP晶(jing)(jing)体(ti)管基区内的(de)(de)(de)(de)调制电(dian)阻(zu)。从该(gai)等效电(dian)路可(ke)以清(qing)楚地看出，IGBT是用晶(jing)(jing)体(ti)管和MOSFET组成的(de)(de)(de)(de)达林顿(dun)结构的(de)(de)(de)(de)复合(he)器件。冈为(wei)(wei)图(tu)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)体(ti)管为(wei)(wei)PNP型晶(jing)(jing)体(ti)管，MOSFET为(wei)(wei)N沟道(dao)(dao)场(chang)效应晶(jing)(jing)体(ti)管，所以这种结构的(de)(de)(de)(de)IGBT称为(wei)(wei)N沟道(dao)(dao)IIGBT，其(qi)符号为(wei)(wei)N-IGBT。类(lei)似地还(hai)有(you)P沟道(dao)(dao)IGBT，即(ji)P- IGBT。
IGBT的(de)电(dian)气图形符号如图2-42(c)所示(shi)。IGBT是(shi)—种场控器(qi)件，它的开(kai)通(tong)和关断(duan)由栅极(ji)和发射极(ji)间电压(ya)UGE决(jue)定，当(dang)栅射电压(ya)UCE为正且大(da)于开(kai)启电压(ya)UCE（th）时，MOSFET内形(xing)成沟道并为PNP型晶(jing)体管提(ti)供基极电流进而使IGBT导(dao)通，此时，从P+区注(zhu)入(ru)N-的(de)空穴（少数载流子）对N-区进行电导调制，减小N-区的电阻RN，使高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP型晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。由此可知，IGBT的驱动原理与MOSFET基本相同。
①当UCE为负(fu)时：J3结(jie)处于(yu)反偏状(zhuang)态(tai)，器件呈反向阻断状(zhuang)态(tai)。
②当uCE为(wei)正时(shi)：UC< UTH，沟道不能形(xing)成(cheng)(cheng)，器(qi)件呈正向阻(zu)断(duan)状态；UG>UTH，绝缘门(men)极下形(xing)成(cheng)(cheng)N沟道，由于载流子(zi)的相互(hu)作用(yong)，在N-区产生电导(dao)调制，使器(qi)件正向导(dao)通。
1)导通
IGBT硅片的(de)结(jie)构与(yu)(yu)功(gong)率(lv)MOSFET的(de)结(jie)构十分(fen)相似(si)，主要(yao)差异是JGBT增加了(le)P+基片和(he)一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)N+缓冲层(ceng)(NPT-非(fei)穿通-IGBT技(ji)术没有增加这(zhei)(zhei)个(ge)(ge)(ge)部分(fen))，其中(zhong)一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)MOSFET驱动两个(ge)(ge)(ge)双极器(qi)(qi)件（有两个(ge)(ge)(ge)极性的(de)器(qi)(qi)件）。基片的(de)应用在管(guan)体(ti)的(de)P、和(he)N+区之(zhi)间创建了(le)一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)J，结(jie)。当正栅(zha)偏(pian)压(ya)使(shi)栅(zha)极下面反演P基区时(shi)，一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)N沟道(dao)便形成，同时(shi)出(chu)现(xian)一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)子(zi)流，并完全按照功(gong)率(lv)MOSFET的(de)方式(shi)产(chan)生一(yi)(yi)股电(dian)(dian)流。如果这(zhei)(zhei)个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)子(zi)流产(chan)生的(de)电(dian)(dian)压(ya)在0.7V范围内(nei)，则(ze)J1将处(chu)于正向(xiang)偏(pian)压(ya)，一(yi)(yi)些(xie)空穴(xue)注入(ru)N-区内(nei)，并调整(zheng)N-与(yu)(yu)N+之(zhi)间的(de)电(dian)(dian)阻率(lv)，这(zhei)(zhei)种方式(shi)降低了(le)功(gong)率(lv)导通的(de)总损耗，并启动了(le)第二个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)荷流。最后的(de)结(jie)果是在半导体(ti)层(ceng)次内(nei)临时(shi)出(chu)现(xian)两种不同的(de)电(dian)(dian)流拓扑：一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)子(zi)流（MOSFET电(dian)(dian)流）；一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)空穴(xue)电(dian)(dian)流（双极）。当UCE大于开启电(dian)(dian)压(ya)UCE(th），MOSFET内(nei)形成沟道(dao)，为晶(jing)体(ti)管(guan)提供基极电(dian)(dian)流，IGBT导通。
2)导通压降(jiang)
电(dian)导调制(zhi)效应使(shi)电(dian)阻RN减小(xiao)，通(tong)态(tai)压降小(xiao)。所谓通(tong)态(tai)压降，是指IGBT进入导通(tong)状(zhuang)态(tai)的(de)管压降UDS，这个电(dian)压随UCS上升而下降。
3)关断
当在栅极(ji)施加一个负偏压(ya)或(huo)栅压(ya)低(di)(di)于(yu)(yu)门限值时(shi)，沟道被(bei)禁止，没有空穴注(zhu)入(ru)N-区内。在任(ren)何情况下，如果MOSFET的电(dian)(dian)流(liu)在开关(guan)阶段迅速下降(jiang)，集(ji)电(dian)(dian)极(ji)电(dian)(dian)流(liu)则(ze)逐渐降(jiang)低(di)(di)，这是阂为(wei)换(huan)向开始后，在N层内还(hai)存在少(shao)数的载流(liu)子（少(shao)于(yu)(yu)）。这种残余电(dian)(dian)流(liu)值（尾流(liu)）的降(jiang)低(di)(di)，完全取决(jue)于(yu)(yu)关(guan)断时(shi)电(dian)(dian)荷的密度，而密度又与几种因素有关(guan)，如掺杂质的数量(liang)和(he)拓扑，层次厚度和(he)温度。少(shao)子的衰(shuai)减(jian)使集(ji)电(dian)(dian)极(ji)电(dian)(dian)流(liu)具有特征尾流(liu)波形(xing)。集(ji)电(dian)(dian)极(ji)电(dian)(dian)流(liu)将引起(qi)功(gong)耗升高(gao)、交(jiao)叉导通问题，特别(bie)是在使用续流(liu)二极(ji)管的设备上，问题更加明(ming)显。
鉴于尾流与少子的(de)重组有关，尾流的(de)电流值应与芯(xin)片的(de)Tc、IC：和uCE密切(qie)(qie)相关，并且与空穴移动性有密切(qie)(qie)的(de)关系。因(yin)此，根(gen)据所(suo)达到的(de)温(wen)度，降低这(zhei)种(zhong)作用在终端设备设计上的(de)电流的(de)不(bu)(bu)理想效(xiao)应是可行的(de)。当栅极(ji)(ji)和发(fa)射极(ji)(ji)间施(shi)加反压或不(bu)(bu)加信号时(shi)，MOSFET内的(de)沟道消失，晶体管的(de)基(ji)极(ji)(ji)电流被切(qie)(qie)断，IGBT关断。
4)反(fan)向(xiang)阻断
当(dang)集(ji)电极被施加(jia)一(yi)个(ge)反向电压时(shi)，J，就会(hui)(hui)受到反向偏(pian)压控制，耗尽层则会(hui)(hui)向N-区(qu)(qu)扩展。因过(guo)(guo)多(duo)地降低这(zhei)个(ge)层面的(de)厚(hou)度(du)，将无法(fa)取(qu)得(de)一(yi)个(ge)有效的(de)阻断(duan)能力，所(suo)以这(zhei)个(ge)机制十分重(zhong)要。另外，如果过(guo)(guo)大(da)地增(zeng)加(jia)这(zhei)个(ge)区(qu)(qu)域的(de)尺寸，就会(hui)(hui)连(lian)续地提高压降。
5)正向阻断
当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，J，结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区巾的耗尽层承受外部施加的电压。
6)闩(shuan)锁(suo)
ICBT在集(ji)电极与发(fa)射极之(zhi)间有—个寄生PNPN晶闸管。在特(te)殊条件(jian)下，这(zhei)种(zhong)寄生器(qi)件(jian)会(hui)导通。这(zhei)种(zhong)现象(xiang)会(hui)使集(ji)电极与发(fa)射极之(zhi)间的电流(liu)量增(zeng)加，对(dui)等(deng)效MOSFET的控制能(neng)力降低(di)，通(tong)(tong)常还(hai)会引起器件击穿问(wen)题(ti)。晶(jing)闸管导通(tong)(tong)现象被称为IGBT闩锁。具体(ti)来(lai)说，产生这种缺陷的原因各不相同，但与器件的状态有密切关(guan)系(xi)。
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