图文分享-电容(rong)频(pin)率特性(xing)曲线-KIA MOS管
信息来源:本站(zhan) 日(ri)期:2021-06-16
电(dian)容(Capacitance)亦称作“电(dian)容量”,是指(zhi)在给定电(dian)位差下的电(dian)荷储藏量,记(ji)为(wei)C,国(guo)际单位是法拉(F)。
一般(ban)来(lai)说,电(dian)(dian)荷在(zai)电(dian)(dian)场中会(hui)受力而(er)移动(dong),当导(dao)体(ti)之间有了(le)介质,则(ze)阻碍(ai)了(le)电(dian)(dian)荷移动(dong)而(er)使得电(dian)(dian)荷累(lei)积在(zai)导(dao)体(ti)上,造(zao)成电(dian)(dian)荷的累(lei)积储存,储存的电(dian)(dian)荷量则(ze)称为电(dian)(dian)容。
电容表示符号
如上图所示(shi),前(qian)面(mian)表示(shi)电容(rong)的(de)符号(无极性(xing)电容(rong)),其中使(shi)用(yong)最多的(de)应该(gai)就是瓷(ci)片(pian)电容(rong),也就是MLCC。
前面是(shi)简单地(di)表示,也表示理想的(de)(de)(de)电(dian)(dian)容器。后(hou)者则是(shi)电(dian)(dian)容实际的(de)(de)(de)模型,包含等(deng)效(xiao)(xiao)串(chuan)联电(dian)(dian)阻ESR和等(deng)效(xiao)(xiao)串(chuan)联电(dian)(dian)感ESL,产(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)原(yuan)因(yin)是(shi)生(sheng)产(chan)工艺(yi)以(yi)及封(feng)装体积大(da)小导致的(de)(de)(de)问题,比(bi)如引脚引线产(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)寄生(sheng)电(dian)(dian)感,由于所有物质都不(bu)是(shi)超导体所以(yi)有阻抗。
理想(xiang)电(dian)容器:
理想(xiang)电容器就是介质(zhi)损耗为零(ling),没有漏(lou)电,分(fen)布电感为零(ling),频率(lv)特性(xing)一致,可以输出趋于(yu)无穷大的(de)电流,所以趋于(yu)零(ling)的(de)时(shi)间就可以充(chong)满电。
实际(ji)电容器
实际电(dian)容(rong)器内(nei)部包含(han)等效(xiao)串(chuan)联电(dian)感和等效(xiao)串(chuan)联电(dian)阻(zu)。而这两(liang)个造成电(dian)容(rong)在使用时(shi)的(de)发(fa)热以及在高频下不能快(kuai)速的(de)充放电(dian),所以在使用电(dian)容(rong)时(shi)需(xu)要(yao)注意电(dian)容(rong)的(de)频率与(yu)阻(zu)抗(kang)曲线。
常见容值(zhi)的(de)频率曲线(xian)
曲线最(zui)低点(dian)表(biao)示自(zi)谐(xie)振频率(lv)点(dian),此时阻(zu)抗(kang)最(zui)小;自(zi)谐(xie)振点(dian)之前(qian)为(wei)容性,超过自(zi)谐(xie)振点(dian),电容逐(zhu)渐成为(wei)感性。
10pf
30pf
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100nf
1uf
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