MODFET的基(ji)本原理(li)
信(xin)息来(lai)源(yuan)：本站 日期：2017-06-30
调制掺(chan)杂场(chang)效应晶(jing)(jing)体管(modulatiorri-doped field effcct transistorJ．MODFET)为(wei)异(yi)质结构(gou)的(de)场(chang)效应器(qi)件．其他常用到的(de)名称有高电子迁移率晶(jing)(jing)体管(high electron mobility lran-sistor．HEMT)、二维电子气场(chang)效应晶(jing)(jing)体管(two-dimensional electron gas field-effect tran-sistor．TEGFET)
图7，1、6为传统MODFET的(de)(de)(de)透视图．MODFET的(de)(de)(de)特征是(shi)栅极(ji)下方的(de)(de)(de)异质(zhi)结(jie)结(jie)构以及调制(zhi)掺(chan)杂层，对于图7：．16中的(de)(de)(de)器件来(lai)说．AIGaAs为一宽禁(jin)带半(ban)导体，而(er)GaAs则为窄禁(jin)带半(ban)导体．这两种(zhong)半(ban)导体是(shi)被(bei)调制(zhi)掺(chan)杂的(de)(de)(de)，也就是(shi)说，除了在极(ji)窄的(de)(de)(de)区域如中并无掺(chan)杂外
AIGaAs是被掺杂的，而GaAs glil未破掺杂．AIGaAs中的电子将扩散到无掺杂的GaAs中.
