场效应管的符号与(yu)三(san)个极,G、S、D详解-KIA MOS管
信(xin)息来源(yuan):本站 日期:2020-09-29
MOS驱动器(qi)主要起波(bo)形(xing)整形(xing)和加强驱动的(de)作用:假如MOS管的(de)G信(xin)号波(bo)形(xing)不够陡峭,在(zai)点评(ping)切(qie)换阶段(duan)会造成大量电(dian)能损(sun)耗其(qi)副作用是降低电(dian)路转换效率,MOS管发烧严峻(jun)(jun),易热(re)损(sun)坏MOS管GS间(jian)存在(zai)一(yi)定电(dian)容,假如G信(xin)号驱动能力(li)不够,将(jiang)严峻(jun)(jun)影响波(bo)形(xing)跳变的(de)时间(jian)。
将G-S极短路,选(xuan)择万用表的R×1档,黑(hei)表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为(wei)几欧至十几欧。若发现某脚与其(qi)字两脚的电阻均呈无(wu)限(xian)大,并且(qie)交换表笔后(hou)仍(reng)为(wei)无(wu)限(xian)大,则证(zheng)实此脚为(wei)G极,由于它和另(ling)外两个管脚是绝缘的。
将万用表(biao)拨(bo)至(zhi)R×1k档分别(bie)丈量三个管(guan)脚之间的(de)电(dian)(dian)阻。用交(jiao)换表(biao)笔(bi)法(fa)测两(liang)次电(dian)(dian)阻,其(qi)中电(dian)(dian)阻值(zhi)(zhi)较低(一般为几(ji)千(qian)(qian)欧至(zhi)十几(ji)千(qian)(qian)欧)的(de)一次为正向电(dian)(dian)阻,此(ci)时黑表(biao)笔(bi)的(de)是S极(ji),红表(biao)笔(bi)接D极(ji)。因为测试前提不同(tong),测出的(de)RDS(on)值(zhi)(zhi)比手册中给出的(de)典型值(zhi)(zhi)要高一些。
在源-漏之间有一(yi)个PN结(jie),因此(ci)根据PN结(jie)正、反(fan)向电阻存在差异,可识别S极与D极。例如用500型万(wan)用表R×1档(dang)实测一(yi)只(zhi)IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值(zhi))。
场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)的符(fu)(fu)(fu)号,N型(xing)(xing)沟(gou)道(dao)结(jie)型(xing)(xing)场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)电路(lu)图形(xing)(xing)符(fu)(fu)(fu)号如(ru)左(zuo)图所示(shi),场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)共有(you)3个电极(ji),电路(lu)图形(xing)(xing)符(fu)(fu)(fu)号中(zhong)(zhong)用(yong)(yong)字母表(biao)示(shi)各电极(ji),栅(zha)极(ji)用(yong)(yong)G表(biao)示(shi),源级用(yong)(yong)S表(biao)示(shi),漏极(ji)用(yong)(yong)D表(biao)示(shi)。电路(lu)图形(xing)(xing)符(fu)(fu)(fu)号中(zhong)(zhong)表(biao)示(shi)出了结(jie)型(xing)(xing)与N型(xing)(xing)沟(gou)道(dao),G极(ji)的箭(jian)头方向(xiang)表(biao)示(shi)是(shi)P型(xing)(xing)还是(shi)N型(xing)(xing)沟(gou)道(dao),N型(xing)(xing)沟(gou)道(dao)场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)其G极(ji)箭(jian)头朝里(li)。场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)的符(fu)(fu)(fu)号,旧的N型(xing)(xing)结(jie)型(xing)(xing)场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)电路(lu)图形(xing)(xing)符(fu)(fu)(fu)号中(zhong)(zhong)有(you)个圆圈,如(ru)下图:
P型(xing)沟道结型(xing)场效(xiao)应管电路图(tu)符号(hao)如(ru)左图(tu)所示,它的G极箭头向外,以表(biao)示是(shi)P型(xing)沟道,旧P型(xing)沟道结型(xing)场效(xiao)应管的电路图(tu)形符号(hao)中有(you)个圆圈,如(ru)下图(tu):
场(chang)效应管的(de)符号(hao),左图(tu)为(wei)增(zeng)强型(xing)P沟道绝(jue)缘栅(zha)极场(chang)效应管电路图(tu)符号(hao),符号(hao)中表示出(chu)它(ta)是(shi)绝(jue)缘栅(zha)型(xing)场(chang)效应管电路图(tu)形符号(hao)中有个(ge)圆圈(quan),如下图(tu):
增强型(xing)N沟道绝缘栅型(xing)场效应(ying)管电路图形符号(hao)箭头朝(chao)里表(biao)示它是N沟道,旧的N沟道绝缘栅型(xing)场效应(ying)管电路图形符号(hao)中有个(ge)圈圈,如下图:
耗尽(jin)型N沟道绝缘栅型场效(xiao)应管(guan)图(tu)形符(fu)号(hao)与增强型场效(xiao)应管(guan)电路图(tu)形符(fu)号(hao)的不同(tong)之(zhi)处(chu)是用实线表示,如下图(tu):
耗尽型双栅N沟道绝缘栅型场(chang)效应(ying)管的电路图形(xing)符号如(ru)左(zuo)图所示(shi),这种(zhong)场(chang)效应(ying)管有两个栅极G1、G2,如(ru)下图:
N沟道结(jie)型场效应管(guan)对管(guan)的电路图形符号如左图所示,它是在一个(ge)管(guan)壳内装上两只性能(neng)参数(shu)相同(tong)(十分相近)的场效应管(guan),如下图:
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