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电力晶体管

电力晶(jing)体(ti)(ti)管按英文Giant Transistor直译为(wei)巨型晶(jing)体(ti)(ti)管，是一种耐高(gao)电压、大电流的(de)双极结型晶(jing)体(ti)(ti)管(Bipolar Junction Transistor—BJT)，所以有时也称为(wei)Power BJT;其特性有：耐压高(gao)，电流大，开关特性好，但驱(qu)(qu)动电路复杂，驱(qu)(qu)动功率(lv)大;GTR和普通双极结型晶(jing)体(ti)(ti)管的(de)工作(zuo)原理是一样的(de)。

光晶体管(guan)

光(guang)(guang)(guang)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(phototransistor)由(you)双极(ji)(ji)型晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)或场(chang)效应(ying)(ying)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)等三(san)端器(qi)件构成(cheng)的光(guang)(guang)(guang)电器(qi)件。光(guang)(guang)(guang)在(zai)这(zhei)类(lei)器(qi)件的有源区内被(bei)吸收(shou)，产生光(guang)(guang)(guang)生载流子，通过内部电放(fang)大(da)(da)机(ji)构，产生光(guang)(guang)(guang)电流增益(yi)。光(guang)(guang)(guang)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)三(san)端工作，故(gu)容(rong)易实现(xian)电控或电同步。光(guang)(guang)(guang)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)所用(yong)(yong)材料通常(chang)是(shi)砷化(hua)镓(GaAs)，主要分为双极(ji)(ji)型光(guang)(guang)(guang)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)、场(chang)效应(ying)(ying)光(guang)(guang)(guang)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)及(ji)其相关器(qi)件。双极(ji)(ji)型光(guang)(guang)(guang)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)通常(chang)增益(yi)很(hen)高，但速(su)度(du)不太快(kuai)，对于(yu)(yu)(yu)(yu)GaAs-GaAlAs，放(fang)大(da)(da)系数(shu)可(ke)(ke)(ke)大(da)(da)于(yu)(yu)(yu)(yu)1000，响(xiang)(xiang)应(ying)(ying)时(shi)间(jian)大(da)(da)于(yu)(yu)(yu)(yu)纳秒(miao)(miao)，常(chang)用(yong)(yong)于(yu)(yu)(yu)(yu)光(guang)(guang)(guang)探测器(qi)，也可(ke)(ke)(ke)用(yong)(yong)于(yu)(yu)(yu)(yu)光(guang)(guang)(guang)放(fang)大(da)(da)。场(chang)效应(ying)(ying)光(guang)(guang)(guang)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)响(xiang)(xiang)应(ying)(ying)速(su)度(du)快(kuai)(约为50皮秒(miao)(miao))，但缺点是(shi)光(guang)(guang)(guang)敏面积小，增益(yi)小(放(fang)大(da)(da)系数(shu)可(ke)(ke)(ke)大(da)(da)于(yu)(yu)(yu)(yu)10)，常(chang)用(yong)(yong)作极(ji)(ji)高速(su)光(guang)(guang)(guang)探测器(qi)。与(yu)此(ci)相关还有许(xu)多其他(ta)平面型光(guang)(guang)(guang)电器(qi)件，其特点均是(shi)速(su)度(du)快(kuai)(响(xiang)(xiang)应(ying)(ying)时(shi)间(jian)几十皮秒(miao)(miao))、适于(yu)(yu)(yu)(yu)集成(cheng)。这(zhei)类(lei)器(qi)件可(ke)(ke)(ke)望在(zai)光(guang)(guang)(guang)电集成(cheng)中得到(dao)应(ying)(ying)用(yong)(yong)。

双极(ji)晶(jing)体管(guan)

双(shuang)极晶体(ti)(ti)管(guan)(bipolar transistor)指在(zai)音频电(dian)(dian)路中(zhong)使用得非常普(pu)遍(bian)的(de)一(yi)种(zhong)晶体(ti)(ti)管(guan)。双(shuang)极则(ze)源于电(dian)(dian)流系在(zai)两种(zhong)半导体(ti)(ti)材(cai)料(liao)中(zhong)流过的(de)关系。双(shuang)极晶体(ti)(ti)管(guan)根据工作(zuo)电(dian)(dian)压的(de)极性(xing)而可(ke)分为NPN型或PNP型。

双极结型(xing)

“双极(ji)(ji)(ji)(ji)”的(de)含义是指其工(gong)作时电(dian)子和(he)空穴(xue)这两种(zhong)(zhong)载流子都同(tong)时参与运(yun)动。双极(ji)(ji)(ji)(ji)结(jie)型晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(Bipolar Junction Transistor—BJT)又称为半导(dao)体(ti)(ti)三极(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)，它(ta)是通过一(yi)(yi)定的(de)工(gong)艺(yi)将两个PN结(jie)结(jie)合在一(yi)(yi)起(qi)的(de)器件，有(you)(you)PNP和(he)NPN两种(zhong)(zhong)组合结(jie)构(gou);外部(bu)(bu)(bu)引(yin)(yin)出三个极(ji)(ji)(ji)(ji)：集电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)，发(fa)(fa)射(she)极(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)，集电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)从(cong)(cong)(cong)集电(dian)区引(yin)(yin)出，发(fa)(fa)射(she)极(ji)(ji)(ji)(ji)从(cong)(cong)(cong)发(fa)(fa)射(she)区引(yin)(yin)出，基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)从(cong)(cong)(cong)基(ji)(ji)区引(yin)(yin)出(基(ji)(ji)区在中(zhong)间);BJT有(you)(you)放(fang)大(da)作用(yong)，重要依靠(kao)它(ta)的(de)发(fa)(fa)射(she)极(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)流能够(gou)通过基(ji)(ji)区传(chuan)输到达集电(dian)区而实现的(de)，为了保证这一(yi)(yi)传(chuan)输过程(cheng)，一(yi)(yi)方面(mian)要满足(zu)(zu)内部(bu)(bu)(bu)条件，即要求发(fa)(fa)射(she)区杂质浓(nong)度要远大(da)于基(ji)(ji)区杂质浓(nong)度，同(tong)时基(ji)(ji)区厚度要很(hen)小，另一(yi)(yi)方面(mian)要满足(zu)(zu)外部(bu)(bu)(bu)条件，即发(fa)(fa)射(she)结(jie)要正向偏置(加(jia)正向电(dian)压)、集电(dian)结(jie)要反偏置;BJT种(zhong)(zhong)类(lei)很(hen)多，按(an)照频(pin)(pin)率(lv)分(fen)，有(you)(you)高频(pin)(pin)管(guan)(guan)(guan)，低频(pin)(pin)管(guan)(guan)(guan)，按(an)照功(gong)率(lv)分(fen)，有(you)(you)小、中(zhong)、大(da)功(gong)率(lv)管(guan)(guan)(guan)，按(an)照半导(dao)体(ti)(ti)材(cai)料分(fen)，有(you)(you)硅管(guan)(guan)(guan)和(he)锗管(guan)(guan)(guan)等;其构(gou)成的(de)放(fang)大(da)电(dian)路形(xing)式(shi)有(you)(you)：共发(fa)(fa)射(she)极(ji)(ji)(ji)(ji)、共基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)共集电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)放(fang)大(da)电(dian)路。

场(chang)效应(ying)晶体(ti)管

“场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)(ying)”的含义是这种晶(jing)体(ti)管的工(gong)作原(yuan)理(li)是基于(yu)半(ban)导(dao)体(ti)的电(dian)(dian)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)(ying)的。场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管(field effect transistor)利用场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)(ying)原(yuan)理(li)工(gong)作的晶(jing)体(ti)管，英文简称(cheng)FET。场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)(ying)晶(jing)体(ti)管又包(bao)含两种主要类型：结型场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(Junction FET，缩(suo)写为JFET)和(he)金属(shu)-氧化物半(ban)导(dao)体(ti)场(chang)(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(Metal-Oxide Semiconductor FET，缩(suo)写为MOS-FET)。与BJT不同的是，FET只由一种载流子(zi)(多数(shu)载流子(zi))参与导(dao)电(dian)(dian)，因(yin)此也称(cheng)为单(dan)极型晶(jing)体(ti)管。它属(shu)于(yu)电(dian)(dian)压控制型半(ban)导(dao)体(ti)器件，具有输入电(dian)(dian)阻高、噪声小、功耗低、动态范围(wei)大(da)、易于(yu)集(ji)成、没有二次(ci)击(ji)穿(chuan)现(xian)象、安全工(gong)作区域宽等优点。

场(chang)效应(ying)就是改变(bian)外加垂直于半(ban)导体(ti)(ti)表面(mian)上电(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)的(de)方向或大(da)小，以(yi)控(kong)制(zhi)半(ban)导体(ti)(ti)导电(dian)(dian)(dian)(dian)层(沟(gou)道)中(zhong)(zhong)多数载(zai)流子(zi)(zi)的(de)密度或类(lei)型(xing)。它(ta)是由电(dian)(dian)(dian)(dian)压调制(zhi)沟(gou)道中(zhong)(zhong)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流，其工作(zuo)电(dian)(dian)(dian)(dian)流是由半(ban)导体(ti)(ti)中(zhong)(zhong)的(de)多数载(zai)流子(zi)(zi)输运。这类(lei)只(zhi)有(you)一种极性(xing)载(zai)流子(zi)(zi)参加导电(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)又称单(dan)极型(xing)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)。与双极型(xing)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)相(xiang)比，场(chang)效应(ying)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)具(ju)有(you)输入阻(zu)抗高、噪声(sheng)小、极限频率高、功耗小，制(zhi)造工艺简单(dan)、温度特(te)性(xing)好(hao)等(deng)特(te)点，广泛应(ying)用于各种放(fang)大(da)电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)、数字电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)和(he)微(wei)波电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)等(deng)。以(yi)硅(gui)材料为基础(chu)的(de)金属0-氧化(hua)物-半(ban)导体(ti)(ti)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(MOSFET)和(he)以(yi)砷化(hua)镓材料为基础(chu)的(de)肖特(te)基势(shi)垒栅(zha)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(MESFET )是两种最重要的(de)场(chang)效应(ying)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)，分别(bie)为MOS大(da)规模集(ji)成(cheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)和(he)MES超高速集(ji)成(cheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)基础(chu)器件。

静电感应

静电(dian)感应(ying)晶体管SIT(StaticInductionTransistor)诞生(sheng)于(yu)1970年，实(shi)际上是一种(zhong)结型场效应(ying)晶体管。将用(yong)(yong)于(yu)信息处(chu)理(li)的(de)(de)小功(gong)率(lv)(lv)SIT器(qi)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)横向导电(dian)结构改为垂直导电(dian)结构，即(ji)可制成大功(gong)率(lv)(lv)的(de)(de)SIT器(qi)件(jian)(jian)(jian)。SIT是一种(zhong)多子(zi)导电(dian)的(de)(de)器(qi)件(jian)(jian)(jian)，其(qi)工(gong)作频(pin)率(lv)(lv)与电(dian)力(li)MOSFET相当，甚至超(chao)过电(dian)力(li)MOSFET，而(er)功(gong)率(lv)(lv)容量也比电(dian)力(li)MOSFET大，因而(er)适用(yong)(yong)于(yu)高(gao)(gao)频(pin)大功(gong)率(lv)(lv)场合，目前已在雷达(da)通信设备、超(chao)声(sheng)波功(gong)率(lv)(lv)放大、脉(mai)冲功(gong)率(lv)(lv)放大和高(gao)(gao)频(pin)感应(ying)加热等某些专业领域(yu)获得了较多的(de)(de)应(ying)用(yong)(yong)。

但是SIT在栅极不加任何信号时(shi)是导通(tong)的(de)，栅极加负偏(pian)压时(shi)关断，这被(bei)称为正常导通(tong)型器件，使用不太方(fang)便。此(ci)外，SIT通(tong)态电(dian)阻(zu)较大，使得(de)通(tong)态损耗也大，因而SIT还未在大多数电(dian)力(li)电(dian)子设备(bei)中得(de)到广泛(fan)应用。

单电(dian)子晶体管(guan)

用一个(ge)或(huo)者少量(liang)电子就(jiu)能记录信(xin)号的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)。随着半(ban)导体(ti)刻蚀(shi)技(ji)术和工艺的(de)(de)(de)发展，大规模集(ji)成电路的(de)(de)(de)集(ji)成度越(yue)来越(yue)高。以动态随机存储器(DRAM)为例(li)，它(ta)的(de)(de)(de)集(ji)成度差(cha)不多(duo)以每两(liang)年增(zeng)加(jia)四倍的(de)(de)(de)速度发展，预计单(dan)电子晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)将是最(zui)终的(de)(de)(de)目标。目前(qian)一般的(de)(de)(de)存储器每个(ge)存储元包含(han)了(le)20万(wan)个(ge)电子，而(er)单(dan)电子晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)每个(ge)存储元只包含(han)了(le)一个(ge)或(huo)少量(liang)电子，因此它(ta)将大大降(jiang)低功耗，提高集(ji)成电路的(de)(de)(de)集(ji)成度。

1989年斯各特(J.H.F.Scott-Thomas)等人在实验(yan)上发现(xian)了库仑阻塞现(xian)象。在调制(zhi)(zhi)(zhi)掺(chan)杂异质结界面(mian)形(xing)成的(de)(de)二(er)维(wei)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)气上面(mian)，制(zhi)(zhi)(zhi)作一(yi)个(ge)面(mian)积很小(xiao)(xiao)的(de)(de)金(jin)属电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)，使得在二(er)维(wei)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)气中形(xing)成一(yi)个(ge)量(liang)子(zi)(zi)点(dian)，它只能容(rong)纳少量(liang)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)，也就是它的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)很小(xiao)(xiao)，小(xiao)(xiao)于一(yi)个(ge)F(10~15法拉)。当(dang)外加电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压时(shi)(shi)，如果(guo)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压变化(hua)引(yin)起(qi)量(liang)子(zi)(zi)点(dian)中电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷变化(hua)量(liang)不到一(yi)个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷，则将没(mei)有电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流通(tong)过(guo)(guo)。直到电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压增大到能引(yin)起(qi)一(yi)个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷的(de)(de)变化(hua)时(shi)(shi)，才有电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流通(tong)过(guo)(guo)。因(yin)此电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流-电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压关系不是通(tong)常(chang)的(de)(de)直线关系，而(er)是台阶形(xing)的(de)(de)。这个(ge)实验(yan)在历史上第一(yi)次实现(xian)了用(yong)人工控制(zhi)(zhi)(zhi)一(yi)个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)运(yun)动，为(wei)制(zhi)(zhi)(zhi)造单(dan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)晶(jing)体管(guan)提供了实验(yan)依(yi)据。为(wei)了提高单(dan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)晶(jing)体管(guan)的(de)(de)工作温度，必须使量(liang)子(zi)(zi)点(dian)的(de)(de)尺寸小(xiao)(xiao)于10纳米，目(mu)前世界各实验(yan)室都在想(xiang)各种办(ban)法解决这个(ge)问(wen)题。有些(xie)实验(yan)室宣称已制(zhi)(zhi)(zhi)出室温下工作的(de)(de)单(dan)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)晶(jing)体管(guan)，观察到由电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)输运(yun)形(xing)成的(de)(de)台阶型电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流——电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压曲线，但离(li)实用(yong)还有相当(dang)的(de)(de)距离(li)。

IGBT

绝(jue)缘栅(zha)双极(ji)晶体管(guan)(Insulate-GateBipolarTransistor—IGBT)综合了电力(li)晶体管(guan)(GiantTransistor—GTR)和电力(li)场效应(ying)晶体管(guan)(PowerMOSFET)的优点，具有(you)良好的特(te)性，应(ying)用领域很广泛;IGBT也是三(san)端器件：栅(zha)极(ji)，集电极(ji)和发(fa)射极(ji)。

功率(lv)开关管(guan)

功率(lv)开(kai)关管的种类很多，如(ru)巨型(xing)(xing)晶(jing)(jing)体(ti)管GTR、快速晶(jing)(jing)闸管SCR、门极可关断晶(jing)(jing)闸管GTO、功率场效应晶(jing)(jing)体(ti)管P- MOSFET和绝(jue)缘栅(zha)双极型(xing)(xing)晶(jing)(jing)体(ti)管IGBT等(deng)。其中，开关电源中经常使用的是P - MOSFET和IGBT。

选(xuan)择功(gong)率开(kai)关管时(shi)，应根据变换器类型、功(gong)率和可靠性等(deng)性能，确定功(gong)率开(kai)关管的耐压值和导通电(dian)流等(deng)参数(shu)。

双极结型晶(jing)体管

双极结型(xing)晶体管( BJT)是(shi)一(yi)种舣极型(xing)半导体器件(jian)，其(qi)(qi)中大(da)容(rong)量的(de)(de)双极结型(xing)晶体管(guan)义称巨型(xing)晶体管(guan)( GTR)，其(qi)(qi)内部有电子(zi)和(he)(he)空穴两种(zhong)载流(liu)子(zi)。根(gen)据半导体类型(xing)的(de)(de)不同(tong)，BJT可以分为NPN型(xing)和(he)(he)PNP型(xing)两种(zhong)，其(qi)(qi)中硅功率(lv)晶体管(guan)多为NPN型(xing)。在(zai)开(kai)(kai)关(guan)(guan)电源中1，BJT工作在(zai)开(kai)(kai)关(guan)(guan)状态(tai)(tai)，即(ji)工作在(zai)截(jie)止区或饱(bao)和(he)(he)区。BJT的(de)(de)开(kai)(kai)关(guan)(guan)时间对(dui)它的(de)(de)应(ying)用(yong)有较大(da)的(de)(de)影n向，因此选用(yong)BJT时，应(ying)注意其(qi)(qi)开(kai)(kai)关(guan)(guan)频(pin)率(lv)。为了使BJT快速导通，缩短开(kai)(kai)通时间toff驱动(dong)电流(liu)必须具有—定(ding)幅值(zhi)，且前沿足(zu)够陡峭并(bing)有。定(ding)过冲的(de)(de)止向驱动(dong)电流(liu)为加速BJT关(guan)(guan)断，缩短关(guan)(guan)断时间TOFF在(zai)关(guan)(guan)断前使BJt'处于临界饱(bao)和(he)(he)状态(tai)(tai)，基极反偏电流(liu)幅值(zhi)足(zu)够大(da)，并(bing)且加反向截(jie)止电压(ya)。

此(ci)外(wai)，BJT的(de)(de)(de)工作点(dian)是(shi)随电(dian)压(ya)和电(dian)流(liu)的(de)(de)(de)不同而变化的(de)(de)(de)，而一(yi)般厂家给(ji)出的(de)(de)(de)参(can)数(shu)是(shi)在特定条件(jian)(jian)且(qie)环境(jing)(jing)温度为+25度数(shu)值。当(dang)环境(jing)(jing)温度高于+25℃时，BJT的(de)(de)(de)功率(lv)应适(shi)当(dang)降(jiang)低(di)(di)。增大(da)(da)电(dian)压(ya)和电(dian)流(liu)余(yu)量，同时改善散热(re)条件(jian)(jian)，可以(yi)提高BJT的(de)(de)(de)可靠件(jian)(jian)：BJT应尽量避免(mian)靠近发(fa)热(re)元件(jian)(jian)，以(yi)保证管壳散热(re)良好。当(dang)BJT的(de)(de)(de)耗散功率(lv)大(da)(da)于SW时，应加(jia)散热(re)器。焊接BJT时，应采用熔点(dian)不超过(guo)150℃的(de)(de)(de)低(di)(di)熔点(dian)焊锡，且(qie)电(dian)烙铁以(yi)60W以(yi)卜(bu)为宜，焊接时间不超过(guo)5，。为防止BJT（MOS管击(ji)穿(chuan)）二(er)次击(ji)穿(chuan)，应(ying)尽量避免采(cai)用电抗成分过(guo)大的负载，并(bing)合理选择工作(zuo)点及工作(zuo)状态(tai)，使之不超过(guo)BJT的安全工作(zuo)区(qu).

参数

晶体管的主要参(can)数(shu)有(you)电(dian)流(liu)放(fang)大(da)(da)(da)系(xi)数(shu)、耗散功率(lv)、频率(lv)特性、集电(dian)极最(zui)大(da)(da)(da)电(dian)流(liu)、最(zui)大(da)(da)(da)反向电(dian)压、反向电(dian)流(liu)等。

放大系数

直流(liu)电(dian)流(liu)放(fang)(fang)大(da)系数(shu)也称静态(tai)电(dian)流(liu)放(fang)(fang)大(da)系数(shu)或直流(liu)放(fang)(fang)大(da)倍数(shu)，是指在静态(tai)无(wu)变化(hua)信号(hao)输入时(shi)，晶体(ti)管集电(dian)极电(dian)流(liu)IC与(yu)基极电(dian)流(liu)IB的比值，一般用hFE或β表示。

交流放大倍数

交(jiao)流放(fang)大倍数，也即交(jiao)流电(dian)流放(fang)大系(xi)数、动态电(dian)流放(fang)大系(xi)数，是指(zhi)在(zai)交(jiao)流状态下(xia)，晶体管(guan)集电(dian)极电(dian)流变化(hua)(hua)量(liang)△IC与基极电(dian)流变化(hua)(hua)量(liang)△IB的比(bi)值，一般(ban)用(yong)hfe或β表(biao)示(shi)。hFE或β既(ji)有区别(bie)又关系(xi)密切(qie)，两个参数值在(zai)低频(pin)时较接近，在(zai)高(gao)频(pin)时有一些差(cha)异。

耗散功率

耗(hao)(hao)散功(gong)率(lv)(lv)(lv)也称集电极(ji)最大(da)允(yun)(yun)许耗(hao)(hao)散功(gong)率(lv)(lv)(lv)PCM，是指(zhi)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)参数变(bian)化(hua)不超(chao)过规定允(yun)(yun)许值时的最大(da)集电极(ji)耗(hao)(hao)散功(gong)率(lv)(lv)(lv)。耗(hao)(hao)散功(gong)率(lv)(lv)(lv)与晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)的最高(gao)允(yun)(yun)许结温和集电极(ji)最大(da)电流有密切关系。晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)在使用时，其(qi)实际功(gong)耗(hao)(hao)不允(yun)(yun)许超(chao)过PCM值，否则会造(zao)成(cheng)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)因(yin)过载而损坏。通常将(jiang)耗(hao)(hao)散功(gong)率(lv)(lv)(lv)PCM小于(yu)(yu)1W的晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)称为小功(gong)率(lv)(lv)(lv)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)，PCM等于(yu)(yu)或(huo)大(da)于(yu)(yu)1W、小于(yu)(yu)5W的晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)被(bei)称为中功(gong)率(lv)(lv)(lv)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)，将(jiang)PCM等于(yu)(yu)或(huo)大(da)于(yu)(yu)5W的晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)称为大(da)功(gong)率(lv)(lv)(lv)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)。

最高频率fM

最(zui)高(gao)振(zhen)荡频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)是(shi)指晶体管的(de)(de)功率(lv)(lv)增益(yi)降为1时所(suo)对应(ying)的(de)(de)频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)。通常，高(gao)频(pin)(pin)(pin)晶体管的(de)(de)最(zui)高(gao)振(zhen)荡频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)低于(yu)共(gong)基极截止(zhi)频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)fα，而特征频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)fT则高(gao)于(yu)共(gong)基极截止(zhi)频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)fα、低于(yu)共(gong)集电极截止(zhi)频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)fβ。

最大电流

集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)极最大电(dian)(dian)(dian)流(ICM)是指晶体管集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)极所(suo)允许(xu)通(tong)过(guo)的(de)(de)最大电(dian)(dian)(dian)流。当晶体管的(de)(de)集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)极电(dian)(dian)(dian)流IC超过(guo)ICM时，晶体管的(de)(de)β值等参数(shu)将(jiang)发生明显变化，影响其正(zheng)常(chang)工作(zuo)，甚至还会损坏。

最大反向电压

最(zui)大(da)反(fan)向(xiang)电(dian)压是指晶体管在工(gong)作时所(suo)允许施(shi)加的(de)最(zui)高工(gong)作电(dian)压。它包括(kuo)集电(dian)极(ji)—发(fa)射极(ji)反(fan)向(xiang)击穿(chuan)电(dian)压、集电(dian)极(ji)—基(ji)极(ji)反(fan)向(xiang)击穿(chuan)电(dian)压和发(fa)射极(ji)—基(ji)极(ji)反(fan)向(xiang)击穿(chuan)电(dian)压。

集电极——集电极反向击穿电压

该(gai)电(dian)压(ya)(ya)是指当晶体(ti)管(guan)基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)开(kai)路(lu)时，其(qi)集电(dian)极(ji)(ji)(ji)与发射极(ji)(ji)(ji)之间(jian)的(de)最(zui)大允(yun)许反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)压(ya)(ya)，一般用VCEO或(huo)BVCEO表示。基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)—— 基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)反(fan)向(xiang)(xiang)击穿电(dian)压(ya)(ya)该(gai)电(dian)压(ya)(ya)是指当晶体(ti)管(guan)发射极(ji)(ji)(ji)开(kai)路(lu)时，其(qi)集电(dian)极(ji)(ji)(ji)与基(ji)(ji)极(ji)(ji)(ji)之间(jian)的(de)最(zui)大允(yun)许反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)压(ya)(ya)，用VCBO或(huo)BVCBO表示。

发射极——发射极反向击穿电压

该电(dian)(dian)(dian)压是指(zhi)当晶体(ti)管的(de)集电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)开路时，其发(fa)射(she)极(ji)(ji)与基极(ji)(ji)与之间的(de)最大允许反(fan)向电(dian)(dian)(dian)压，用VEBO或(huo)BVEBO表示。

集电极——基极之间的反向电流ICBO

ICBO也称集电结(jie)反向(xiang)漏(lou)电电流，是(shi)指当(dang)晶体(ti)管的(de)发(fa)射(she)极(ji)开路(lu)时，集电极(ji)与基极(ji)之间的(de)反向(xiang)电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说(shuo)明晶体(ti)管的(de)温度特(te)性越好。

集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO

ICEO是指当晶体管(guan)的(de)基极(ji)开路(lu)时，其(qi)集电极(ji)与发射极(ji)之间(jian)的(de)反向漏电电流，也(ye)称穿透电流。此电流值越小(xiao)，说(shuo)明晶体管(guan)的(de)性(xing)能越好(hao)

功率晶体管的性能。如

(1)开关晶体(ti)管有效芯(xin)片面积(ji)的增加，

(2)技术上的简化，

(3)晶体管的复合——达林顿(dun)，

(4)用于大功率开关的(de)基(ji)极(ji)驱动(dong)技术的(de)进(jin)步。

直接工作在整流380V市电上的晶体管功率(lv)开(kai)关(guan)

晶体管(guan)复(fu)合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管(guan)开(kai)关能力的方法

在这样的(de)(de)大功率(lv)电路中，存在的(de)(de)主(zhu)要问题(ti)是布线(xian)。很高的(de)(de)开关速度能在很短的(de)(de)连接线(xian)上产生相(xiang)当高的(de)(de)干扰(rao)电压

联系(xi)方式：邹先生

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