利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

晶体管（是转换电阻transfer rcsistor的缩写）是一个多重结的半导体器件，通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益．双极型晶体管，或称双极型结晶体管，是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有广泛的应用，双极型MOS器(qi)件是一种电子与空(kong)穴皆(jie)参与导通(tong)过程的(de)半导体器(qi)件，与只(zhi)由一种载流子参与传(chuan)导的(de)场效应器(qi)件不同．

图5.1为单一 p-n-p双极型晶体管的透视图，其制造过程是以p型半导体(ti)器件为衬(chen)底(di)，利(li)用热(re)扩散的原理在(zai)(zai)p型衬(chen)底(di)上形成-n型区(qu)域(yu)．再在(zai)(zai)此n型区(qu)域(yu)上以(yi)(yi)热(re)扩散形成一高浓度(du)的p+型区(qu)域(yu)，接(jie)(jie)着以(yi)(yi)金(jin)属(shu)覆盖p+、n以(yi)(yi)及下方(fang)的p型区(qu)域(yu)形成欧姆接(jie)(jie)触．详细(xi)的晶体管工(gong)艺将在(zai)(zai)后面的章(zhang)节中讨论．

图(tu)5.2(a)为(wei)(wei)理想的(de)一(yi)维结构p-n-p双极(ji)型晶(jing)体管，具有二(er)段不同(tong)掺杂浓(nong)度(du)(du)的(de)区域(yu)，形成两个p-n结，浓(nong)度(du)(du)最高的(de)p+区域(yu)称为(wei)(wei)发射(she)区（在图(tu)5.2中以E定义）；中间较窄的(de)n型区域(yu)，其杂质浓(nong)度(du)(du)中等，称为(wei)(wei)基区（base，定义为(wei)(wei)B），基区的(de)宽度(du)(du)需远小于少数载流子的(de)扩

散长度；浓度最小的p型区域(yu)称为集(ji)电区（定义为c）．

各区域内的浓度(du)假设为(wei)均匀分布，p-n结的概念可直接应用在(zai)晶体(ti)管内的结上(shang)，

图5.2（b1是一(yi)个(ge)p-n-p双极型晶体管(guan)的电(dian)路(lu)符号(hao)，图中亦显(xian)示各电(dian)流(liu)成分和电(dian)压(ya)极性，箭头表(biao)示晶体管(guan)在一(yi)般工作模(mo)式(shi)(shi)（或称放(fang)大模(mo)式(shi)(shi)）下各电(dian)流(liu)的方(fang)向，而“+”、“一(yi)”符号(hao)表(biao)示电(dian)压(ya)的极性我们亦可(ke)用(yong)双下标的方(fang)式(shi)(shi)，来表(biao)示电(dian)压(ya)的极性．在放(fang)大模(mo)式(shi)(shi)下，射(she)基结必须为正向偏压(ya)(VEB>o)，而集(ji)基结为反向偏压(ya)(VBb<0)．根(gen)据克西荷夫电(dian)路(lu)定律，对此三端点(dian)器件，只(zhi)有两独(du)立电(dian)流(liu)；若(ruo)任两电(dian)流(liu)为已知，第三端点(dian)电(dian)流(liu)即可(ke)求得．

n-p-n双(shuang)(shuang)极(ji)(ji)(ji)型(xing)(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管的(de)(de)(de)(de)(de)(de)结构(gou)(gou)与(yu)(yu)(yu)p-n-p双(shuang)(shuang)极(ji)(ji)(ji)型(xing)(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管是互补的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，图(tu)5.2(c)与(yu)(yu)(yu)图(tu)5.2(d)分别(bie)是理想p-n-p晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管的(de)(de)(de)(de)(de)(de)结构(gou)(gou)与(yu)(yu)(yu)电(dian)(dian)路(lu)符号(hao)。将(jiang)(jiang)p-n-p双(shuang)(shuang)极(ji)(ji)(ji)型(xing)(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管结构(gou)(gou)中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)p换成(cheng)n、n换成(cheng)p，即为n- p-n双(shuang)(shuang)极(ji)(ji)(ji)型(xing)(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管的(de)(de)(de)(de)(de)(de)结构(gou)(gou)，因此电(dian)(dian)流(liu)方(fang)向与(yu)(yu)(yu)电(dian)(dian)压极(ji)(ji)(ji)性(xing)也都相反．在下一小节中，我们将(jiang)(jiang)仔细讨论(lun)p-n-p双(shuang)(shuang)极(ji)(ji)(ji)型(xing)(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管，因为其少数载流(liu)子（空穴）的(de)(de)(de)(de)(de)(de)流(liu)动(dong)方(fang)向与(yu)(yu)(yu)电(dian)(dian)流(liu)方(fang)向相同，可(ke)更直观地了(le)解电(dian)(dian)荷运动(dong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)机(ji)制，只要(yao)(yao)了(le)解了(le)p- n-p晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管，我们只要(yao)(yao)将(jiang)(jiang)极(ji)(ji)(ji)性(xing)和掺杂类型(xing)(xing)调(diao)换，即可(ke)描述(shu)n-p-n晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管

联系方(fang)式：邹先生

手机：18123972950

QQ：2880195519

 联系地址：深圳市(shi)福田区车公(gong)庙天(tian)安数码城(cheng)天(tian)吉(ji)大(da)厦(sha)CD座(zuo)5C1

关(guan)注(zhu)KIA半导(dao)体工程专辑(ji)请搜微(wei)(wei)信(xin)号:“KIA半导(dao)体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微(wei)(wei)信(xin)“关(guan)注(zhu)”

长按(an)二维码识(shi)别关注