mos管开关电路-mos管电子开关实现多点控制是如何做到的

mos管开关电路

MOS管开关电(dian)路(lu)(lu)是(shi)利(li)用(yong)一种电(dian)路(lu)(lu)，是(shi)利(li)用(yong)MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和(he)漏(lou)极（d）通(tong)断的(de)原(yuan)理(li)构造的(de)电(dian)路(lu)(lu)。MOS管分为(wei)N沟道与P沟道，所(suo)以开关电(dian)路(lu)(lu)也(ye)主要分为(wei)两(liang)种。

P沟道MOS管开关电路

PMOS的(de)(de)(de)特性，Vgs小于(yu)一定的(de)(de)(de)值就会导(dao)(dao)通(tong)，适(shi)合用(yong)于(yu)源极接VCC时(shi)的(de)(de)(de)情况(kuang)（高(gao)端驱动(dong)）。需(xu)要注意的(de)(de)(de)是，Vgs指的(de)(de)(de)是栅极G与源极S的(de)(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)，即栅极低(di)于(yu)电(dian)(dian)源一定电(dian)(dian)压(ya)就导(dao)(dao)通(tong)，而(er)非相(xiang)对于(yu)地(di)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)。但(dan)是因为PMOS导(dao)(dao)通(tong)内阻比较大，所以(yi)只适(shi)用(yong)低(di)功(gong)率的(de)(de)(de)情况(kuang)。大功(gong)率仍然(ran)使用(yong)N沟道MOS管(guan)。

N沟道mos管开关电路

NMOS的(de)特性，Vgs大于(yu)(yu)(yu)一(yi)定的(de)值就会(hui)导通(tong)(tong)，适合(he)用于(yu)(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)接(jie)地时的(de)情(qing)况(kuang)（低端驱动），只(zhi)要栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)压大于(yu)(yu)(yu)参数手册(ce)中给(ji)定的(de)Vgs就可以了，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D接(jie)电(dian)源(yuan)，源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S接(jie)地。需要注意的(de)是Vgs指的(de)是栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G与源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S的(de)压差，所以当NMOS作(zuo)为高端驱动时候，当漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D与源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S导通(tong)(tong)时，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D与源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S电(dian)势(shi)相等，那么栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G必须高于(yu)(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S与漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D电(dian)压，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D与源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S才能继续导通(tong)(tong)。

mos管电子开关实现多点控制详解

mos管电(dian)(dian)子开(kai)关(guan)实现(xian)多点控制电(dian)(dian)路(lu)是(shi)由约翰·伦(lun)德格伦(lun)改编自“拨(bo)动开(kai)关(guan)去(qu)抖的按钮(niu)”。需要(yao)从一个位(wei)置接通和从另(ling)一个位(wei)置关(guan)掉负载，这个电(dian)(dian)路(lu)是(shi)有(you)用的。任何(he)数量(liang)的瞬间（N / O）开(kai)关(guan)或(huo)按钮(niu)可并行连接。

在原理图上(shang)的左侧的组合（10K，10uF和(he)二极管）保证了电路(lu)接通电源(yuan)时保持负载断开(kai)状(zhuang)态。如果初始上(shang)电状(zhuang)态不是一个问题，这些组件(jian)可以被省略。

当开关按(an)下时，1uF电(dian)(dian)(dian)(dian)容被连(lian)接到220欧姆和(he)33K电(dian)(dian)(dian)(dian)阻连(lian)接点(dian)，NPN晶体(ti)管截止，mos管导通(tong)(tong)开启负载(zai)。释放(fang)按(an)钮后，1uF电(dian)(dian)(dian)(dian)容通(tong)(tong)过(guo)1M电(dian)(dian)(dian)(dian)阻充电(dian)(dian)(dian)(dian)。第二次按(an)下开关，1uF电(dian)(dian)(dian)(dian)容充电(dian)(dian)(dian)(dian)后的电(dian)(dian)(dian)(dian)压被加(jia)载(zai)到NPN晶体(ti)管基极(ji)，晶体(ti)管导通(tong)(tong)，mos管关闭，负载(zai)断电(dian)(dian)(dian)(dian)。

当(dang)开(kai)关按下(xia)时，1uF电(dian)(dian)(dian)容被连接到220欧姆和(he)33K电(dian)(dian)(dian)阻连接点，NPN晶(jing)体管(guan)截止，mos管(guan)导通开(kai)启(qi)负(fu)(fu)载。释放(fang)按钮后，1uF电(dian)(dian)(dian)容通过1M电(dian)(dian)(dian)阻充电(dian)(dian)(dian)。第二(er)次按下(xia)开(kai)关，1uF电(dian)(dian)(dian)容充电(dian)(dian)(dian)后的电(dian)(dian)(dian)压(ya)被加载到NPN晶(jing)体管(guan)基极，晶(jing)体管(guan)导通，mos管(guan)关闭(bi)，负(fu)(fu)载断电(dian)(dian)(dian)。

在晶体(ti)管的基极(ji)加入(ru)0.1uF电容，拦截噪声可能造成的误触(chu)发(fa)，如(ru)果开关位于(yu)远离电路。使用12伏，25瓦特汽车灯，和IRFZ44的电路进行(xing)了测试。其他的MOSFET大概可以使用。

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