怎样理解场效应管参数 解读MOS管参数

场(chang)(chang)效应(ying)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称(cheng)场(chang)(chang)效应(ying)管。主(zhu)要(yao)有两种类型(xing)(xing)：结型(xing)(xing)场(chang)(chang)效应(ying)管（junction FET—JFET)和(he)金(jin)属 - 氧化物半(ban)导(dao)体(ti)场(chang)(chang)效应(ying)管（metal-oxide semiconductor FET，简称(cheng)MOS-FET）。由多数载(zai)流子参(can)与导(dao)电，也称(cheng)为(wei)单极型(xing)(xing)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管。它属于(yu)(yu)电压(ya)控制(zhi)型(xing)(xing)半(ban)导(dao)体(ti)器件。具有输(shu)入电阻(zu)高（107～1015Ω）、噪声小(xiao)、功耗低、动(dong)态范(fan)围大、易于(yu)(yu)集成(cheng)、没有二次(ci)击穿(chuan)现象、安全工作区域(yu)宽等(deng)优点，现已(yi)成(cheng)为(wei)双极型(xing)(xing)晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管和(he)功率晶(jing)(jing)(jing)体(ti)管的强大竞(jing)争者。

场效应管（FET）是利用控(kong)制输(shu)入回路的电场效应来控(kong)制输(shu)出回路电流的一种(zhong)半(ban)导体(ti)器件，并以此(ci)命名。由于(yu)它(ta)仅靠(kao)半导体(ti)中的多数载流子导电，又称单极(ji)型晶体(ti)管。FET 英文(wen)为Field Effect Transistor，简写成(cheng)FET。

怎样理解场效应管参数

场效(xiao)应(ying)管(guan)参(can)数(shu)(shu)(shu)很多(duo)，包括直流(liu)(liu)参(can)数(shu)(shu)(shu)、交流(liu)(liu)参(can)数(shu)(shu)(shu)和(he)极(ji)限参(can)数(shu)(shu)(shu)，但一般使(shi)用(yong)时(shi)只需关(guan)注以下主(zhu)要参(can)数(shu)(shu)(shu)：饱(bao)和(he)漏(lou)源电(dian)流(liu)(liu)IDSS、夹断(duan)电(dian)压(ya)(ya)UP（结(jie)型(xing)管(guan)和(he)耗尽(jin)型(xing)绝缘栅管(guan)）或开启电(dian)压(ya)(ya)UT（增强(qiang)型(xing)绝缘栅管(guan)）、跨(kua)导gm漏(lou)源击穿电(dian)压(ya)(ya)BUDS、最大(da)耗散(san)功(gong)率PDSM和(he)最大(da)漏(lou)源电(dian)流(liu)(liu)IDSM。

(1)饱和漏源电流

饱和漏源电流IDSS是指结型(xing)或(huo)耗尽型(xing)绝(jue)缘(yuan)栅场效(xiao)应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

(2)夹断电压

夹断(duan)电压(ya)Up是指结(jie)型或耗尽(jin)型绝型场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)中，使(shi)漏(lou)源(yuan)间刚截止上时的(de)栅(zha)极(ji)电压(ya)。如(ru)图4-25所示为(wei)N沟道(dao)(dao)管(guan)(guan)的(de)UGS-ID曲线，可(ke)明确看出IDSS和UP的(de)意义。如(ru)图4-26所示为(wei)P沟道(dao)(dao)管(guan)(guan)的(de)UDS-ID曲线。

(3)开启(qi)电压

开肩电(dian)(dian)压UT是指增强型(xing)绝缘栅(zha)场(chang)效应管(guan)中(zhong)，使漏(lou)源间(jian)刚导通时的(de)栅(zha)极电(dian)(dian)压。如图(tu)4-27所(suo)示为N沟道(dao)管(guan)的(de)UGS-ID曲线(xian)，可明确(que)看出UT的(de)意义。如图(tu)4-28所(suo)示为P沟道(dao)管(guan)的(de)UGS-ID曲线(xian)。

(4)跨(kua)导

跨导gm是表示(shi)栅源(yuan)电压UGS对漏极电流ID控制能力(li)，即漏极电流ID变化与栅源(yuan)电压UGS变化量(liang)的比值。gm是衡量(liang)场效应管(guan)放大能力(li)的重要参数。

(5)漏源击穿(chuan)电(dian)压

漏源击(ji)穿电乐BUDS是(shi)指(zhi)栅(zha)源电压(ya)(ya)UGS一(yi)定时，场(chang)效(xiao)应(ying)管正(zheng)常工作所能(neng)承受的最大(da)漏源电压(ya)(ya)。这是(shi)一(yi)项极限参数，加在场(chang)效(xiao)应(ying)管上的工作电压(ya)(ya)必须小于BUDS。

(6)最大耗散功率

最(zui)大耗散功(gong)率(lv)PDSM也是一(yi)(yi)项极限参数，足(zu)指场(chang)(chang)效应管性能不变坏时所允许的最(zui)大漏源耗散功(gong)率(lv)。使用时场(chang)(chang)效应管实际功(gong)耗应小(xiao)于PDSM并留有一(yi)(yi)定余(yu)量。

(7)最(zui)大(da)漏源电(dian)流

最大漏(lou)源(yuan)电(dian)(dian)流(liu)(liu)IDSM是另一项极(ji)限参数，是指场效应管(guan)正(zheng)常工作时，漏(lou)源(yuan)间所允许通过的最大电(dian)(dian)流(liu)(liu)。场效应管(guan)的工作电(dian)(dian)流(liu)(liu)不应超过IDSM。

场效应管特点

与双极型(xing)晶(jing)体(ti)管相比(bi)，场效(xiao)应管具有(you)如下(xia)特(te)点。

（1）场效应管(guan)是电(dian)压(ya)控制器件，它通过VGS(栅源(yuan)电(dian)压(ya))来控制ID（漏极(ji)电(dian)流）；

（2）场效(xiao)应管的(de)控制(zhi)输入端电流极小，因此(ci)它的(de)输入电阻（107～1012Ω）很(hen)大。

（3）它(ta)是利用(yong)多(duo)数载流子导电，因此(ci)它(ta)的温(wen)度稳定性较(jiao)好；

（4）它组成的放大(da)(da)电(dian)路的电(dian)压(ya)放大(da)(da)系数要小于(yu)三极管组成放大(da)(da)电(dian)路的电(dian)压(ya)放大(da)(da)系数；

（5）场效(xiao)应管的抗(kang)辐射能力强；

（6）由于它(ta)不存在杂乱(luan)运(yun)动的(de)电子扩散引起的(de)散粒噪声，所以噪声低(di)。

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