MOSFET-MOSFET与符号图文解析（附动画图）

MOSFET与(yu)符号详解,MOSFET是很常用的一个(ge)器件，可以起到(dao)(dao)“导通(tong)”“截止”的状态(tai)，大量(liang)的用在电(dian)源(yuan)处理中(zhong)。先从量(liang)上来(lai)说(shuo)，NMOS器件是比(bi)PMOS要更常见，因为PMOS开关慢，电(dian)压高，很费劲。如果能找到(dao)(dao)源(yuan)栅漏这几个(ge)标注，可以通(tong)过寄(ji)生二极管(guan)的方向来(lai)做判断。

今(jin)天写一下(xia)，MOS管电路符号和(he)寄生二极(ji)管方向，和(he)半导体(ti)类型的对应关系。

NMOS和PMOS，都是MOS管的一种类型。MOS，叫(jiao)金属氧(yang)化物半导体。

氧(yang)化(hua)物(wu)是一个绝缘介(jie)质，氧(yang)化(hua)物(wu)上下两侧都是金属，那就是一个电容(rong)。

氧化(hua)物(wu)其中一侧(ce)是(shi)(shi)半导(dao)体(ti)，另一侧(ce)是(shi)(shi)金属，其实也是(shi)(shi)一个电(dian)容。

如果给MOS的(de)M金属侧(ce)加正电荷，那挨着介质的(de)一侧(ce)就会被感应(ying)出(chu)负电荷。

一(yi)般(ban)半(ban)导体(ti)是一(yi)个体(ti)结构，标注(zhu)为(wei)block，B，看电(dian)路符号都是有个箭(jian)头，那个箭(jian)头表示(shi)了电(dian)子被感(gan)应的方向。上图金(jin)属正(zheng)电(dian)荷，在介质靠近金(jin)属的地方，感(gan)应出(chu)很多(duo)电(dian)子。

继续设(she)计这个结(jie)构，两侧做成n型半(ban)(ban)导体，n型半(ban)(ban)导体里边是(shi)有自由(you)电子。MOS管(guan)加电压，感应吸附自由(you)电子靠近氧化物，这些(xie)自由(you)电子就把两侧的n型半(ban)(ban)导体导通了的。

金属氧化物半导体(ti)，不(bu)加电，两侧半导体(ti)不(bu)导通。

MOS，控(kong)制两侧N型(xing)半导体是否(fou)导通，这是个NMOS，那底下的衬底就要做成P型(xing)半导体。在电路符号里，就会看(kan)到这么标注(zhu)。

衬底做成P型，是(shi)在无(wu)电压的(de)情况下，源和漏是(shi)一(yi)对(dui)儿背靠背的(de)二(er)极管，能够稳定截止(zhi)。

综合一下，NMOS的(de)电(dian)路符号是这样的(de)。

一般咱们适(shi)用的MOS管，并不会(hui)做成四个电(dian)极(ji)，而是(shi)会(hui)吧体电(dian)极(ji)与源合并。

小结一(yi)下NMOS：

① MOS中(zhong)金属加(jia)正电压，底(di)部感应出电子

② 自由电(dian)子(zi)，导(dao)通两侧的(de)n型(xing)半导(dao)体

③ 零(ling)电压(ya)时，源漏之间是反向截(jie)止二(er)极(ji)管。

同理，下(xia)图PMOS

① MOS中(zhong)金属加负电压，底部感(gan)应出空穴(xue)，（下头的箭头，是电子(zi)的方向，空穴(xue)流向氧化物边缘(yuan)，电子(zi)则会远离）

② 空穴(xue)增多，导(dao)通两侧的p型半导(dao)体，（P型半导(dao)体也是有空穴(xue)）

③ 零(ling)电(dian)(dian)压时，源漏(lou)之间是反向截止(zhi)二极(ji)管。（PMOS源漏(lou)之间的电(dian)(dian)压和PN结的电(dian)(dian)压，通通都(dou)和NMOS反向。依(yi)然是截止(zhi)。）

但凡可以看到源漏标(biao)注，就可以通过寄生(sheng)电压的方式(shi)来判别是(shi)nmos还(hai)是(shi)pmos。

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