MOS管损毁原因(yin)大总(zong)结(jie) 看得(de)明(ming)明(ming)白(bai)白(bai)-KIA MOS管
信(xin)息来源：本站(zhan) 日期：2020-03-03
本文主要讲MOS管损(sun)毁原(yuan)因(yin)，会从4个方面来讲。希望对大家有所帮助。MOS管，是(shi)MOSFET的(de)缩写。MOSFET金属-氧(yang)化物半(ban)导体(ti)场(chang)效(xiao)应(ying)晶(jing)体(ti)管，简称金氧(yang)半(ban)场(chang)效(xiao)晶(jing)体(ti)管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
1、MOS管损毁原因-在电源电压方面
1）、过流-------持续(xu)大电流或瞬间超大电流引起的(de)结温过高而烧毁；
2）、过压-------源(yuan)漏过压击穿、源(yuan)栅极(ji)过压击穿；
3）、静电(dian)(dian)-------静电(dian)(dian)击穿。CMOS电(dian)(dian)路都(dou)怕静电(dian)(dian)；
2、MOS管损毁原因-在MOS管电源电压方面
1）、漏源电压过(guo)大，MOS管烧坏。现象：MOS管D、S两(liang)端短(duan)路(lu)；
2）、漏源电流过大(da)，MOS管(guan)烧(shao)坏。现(xian)象：MOS管(guan)D、S两端(duan)短路；
3）、栅源电压过大(da)，MOS管烧坏(huai)。现象：MOS管G、D、S短路；
3、MOS管损毁原因-其他方面
1）、堵转会使电机感应(ying)电动势升高，使电机电流(liu)大增过流(liu)保护太迟钝；
2）、同时导通；
3）、功率过大；
4）、散(san)热不(bu)足；
5）、频(pin)率太高；
6）、MOS管内阻(zu)未充(chong)分考虑(lv)，导致开(kai)关(guan)阻(zu)抗(kang)增大；
4、MOS管损毁原因-会对MOS管造成的影响
1）、MOS管吸附灰尘(chen)，改变线路间(jian)的阻抗，影响MOS管的功能和寿(shou)命。
2）、因电场(chang)或电流破坏元件绝缘层和导体，使MOS管(guan)不能工作（完全破坏）。
3）、因瞬间的(de)电场(chang)软击穿或电流产生(sheng)过热，使MOS管受(shou)伤，虽仍(reng)能工(gong)作，但是寿命受(shou)损。
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