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其(qi)他类型的基极驱(qu)动电路

在过去的几年里 ，出现了许多专门用于驱动双极型晶体管的电路 。它们大多应用于低功率场合 ，这些电路通过各种方法来达到以 F两个目标 ：①用最少的元器件获得(de)反向基极(ji)电压和反向基极(ji)电流(liu)，或者在关断和导通的(de)过相巾将基极(ji)和发射极(ji)短路(lu)：②在主电路(lu)电流(liu)最(zui)大的(de)时候(hou)，正向基极(ji)电流(liu)足够驱动卢值小的(de)晶体(ti)管 ，同时不(bu)会在主电路(lu)电流(liu)最(zui)小时驱动卢值大的(de)晶 体(ti)管而产生(sheng)存(cun)储(chu)时间过长的(de)问(wen)题 。下面将给出些例子。

设计了如图 8.14 C a ）所示的电路 ，用在 lOOOW 的离线式电源中该电路的主要特性是 ，在 Q2 即将关断时导通 QI ，并通过变压器 Tl 将电流和 2V 反向基极偏置电压提 供给功率晶体管 Q2o 它既可驱动下桥臂的功率晶体管 ，也可工作在MOS管电源开关电路中(zhong)来驱动上桥臂的晶(jing)体管。这个电路在(zai)低功率场合也得(de)到了广泛应用  。它的工作(zuo)原理如下 。

假设(she)（ 图 8.14 C b ) 电(dian)(dian)压(ya)在 Q2 半(ban)个周期的(de)(de)部分时间(jian)内为高 ，其余时间(jian)内 Q2 将(jiang) 关断 （ Q2 的(de)(de)死区），Ns 上的(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)被钳位(wei)为零 。在下半(ban)个周期里(li) ，电(dian)(dian)压(ya)反向对磁心进行复位(wei)。将(jiang)芯片的(de)(de)输出(chu)脚(jiao) 11 和输出(chu)脚(jiao) 14 连接于初(chu)级(ji)，就(jiu)可(ke)以获得所需的(de)(de)波形了。适(shi)当选择变压(ya)器Tl 的(de)(de)比使次级(ji)电(dian)(dian)压(ya) Vs 约为 4V。再(zai)选择合适(shi)的(de)(de)电(dian)(dian)阻 RI ，给 Q2 基极限流 ，并能够以要求的(de)(de)速度将(jiang) P 值最小的(de)(de)晶体管MOS管驱动(dong)至(zhi)饱和导通 ，即

Ns 上(shang)的(de)电(dian)压约为(wei) 4V,  R I 上(shang)的(de)电(dian)压约为(wei) 3V, 左(zuo)端被充电(dian)到相(xiang)对 Q2 发射(she)极(ji)(ji)为(wei)一(yi)(yi)2V, RI 左(zuo)端电(dian)位相(xiang)对于 Q2 发射(she)极(ji)(ji)为(wei)一(yi)(yi)3V 。当 R l 中有电(dian)流(liu)流(liu)过时，Ql 有一(yi)(yi)lV 反偏电(dian)压 ，处于关 断(duan)状态(tai)。

在死区初始时刻 ，Vs 跌落(luo)至(zhi)零 ，Q2 快速关(guan)断(duan) ，其存储时间越小(xiao)越好 。一(yi)旦 Vs 下降为零， Cl  左端电位(wei)将比(bi) Q2 发射极(ji)电位(wei)低 2V, 就相当于一(yi)个(ge) 2V  的(de)浮(fu)充电源，给由 R l 、R2  和 Ql  的(de)基(ji)射极(ji)串联构成的(de)电路供(gong)电 。

此(ci)时，QI 导(dao)通 ，提(ti)供 Q2 基射极(ji)(ji)间的(de) 2V 反(fan)向(xiang)偏(pian)(pian)置(zhi)电(dian)压(ya) ，Q2 关断。Q2 基极(ji)(ji)的(de)反(fan)向(xiang)电(dian)流 具(ju)体是(shi)多(duo)少并不(bu)能确定 。QI 为 2N2222A 型管，它是(shi)一种流过 500mA 电(dian)流时，最(zui)小增(zeng)益为 50 的(de)快速(su)(su)晶体管 ，这足够(gou)令 Q2 快速(su)(su)关断了 ，且存储(chu)时间也足够(gou)小 。在 风的(de)同名端再次(ci)为正(zheng) 时，QI  因墓极(ji)(ji)反(fan)偏(pian)(pian)而关断 。

如(ru)图(tu) 8.14 C c ） 所示(shi)，该电路用更为便宜(yi)的(de) SG3524 芯片(pian)取代了 UC3525 。在(zai)这里 ，当 Vs 极性反向时 ，稳压二(er)极管 Zl ( 3.3V ） 和二(er)极管 D2 对其进行钳位(wei) ，并(bing)在(zai)设定的(de)时间内对磁心 进行复(fu)位(wei) 。为了避免被 QI   钳位(wei) ，二(er)极管 D3  用来(lai)阻断复(fu)位(wei)电压 。

Cl 通过 DI 被充至一个浮充偏置电(dian)压 ，它通过R I 和 R2 的(de)串(chuan)联(lian)电(dian)路导(dao)通 Qla Ql 导(dao)通时， 将 Q2 基(ji)极电(dian)压拉低(di)到一 2V ，从而关断 Q2。由于增加(jia)了二极管 D3, Tl 的(de)臣比需要根据使(shi) Vs 获得约 5V 电(dian)压的(de)要求进行选择。

图 8.14 (a) Wood 基极MOS驱动电(dian)(dian)(dian)路 。当 N，的(de)(de)同名端(duan)为正，Q2 导(dao)通时(shi)，其基极电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)被 Rl 限(xian)制。电(dian)(dian)(dian)压(ya) V，的(de)(de)选(xuan) 择(ze)应满足使在流(liu)(liu)过(guo)己(ji)知基极电(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)时(shi)候 Rl 上(shang)(shang)约有 4V 的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)。若 Rl 上(shang)(shang)电(dian)(dian)(dian)压(ya)为 4V ，则 Cl 通过(guo) D1 充电(dian)(dian)(dian)至 3V 。当 N，上(shang)(shang)有电(dian)(dian)(dian)压(ya)时(shi)，QI 被反(fan)向(xiang)偏置(zhi)(zhi)而(er)关断 。当 NP 上(shang)(shang)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)跌落(luo)(luo)至零(ling)时(shi) ，N，上(shang)(shang)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya) 也跌落(luo)(luo)至零(ling) 。Cl 上(shang)(shang)的(de)(de) 3V 电(dian)(dian)(dian)压(ya)通过(guo)电(dian)(dian)(dian)阻 Rl 和 R2 将 Ql 导(dao)通。这样就给 Q2 的(de)(de)基极施加上(shang)(shang) 3V 的(de)(de) 反(fan)向(xiang)偏置(zhi)(zhi)电(dian)(dian)(dian)压(ya) ，并令(ling)其迅速(su)关断 。C c） 在电(dian)(dian)(dian)路中增加 D3, Zl 和 D2 ，允许 Tl 直(zhi)接连(lian)接到(dao) 3524 芯 片的(de)(de)输出晶(jing)体管集电(dian)(dian)(dian)极上(shang)(shang)。

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